Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Ⅲ/Ⅴ半导体 | |
其他题名 | Ⅲ/Ⅴ半导体 |
B・库纳特; J・科克; S・赖恩哈德; K・沃茨; W・斯托尔茨 | |
2008-09-17 | |
专利权人 | 马尔堡菲利普斯大学 |
公开日期 | 2008-09-17 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明涉及包含基于掺杂Si或掺杂GaP的载体层和安排在所述载体层上并含有成分Gaxlny-NaAsbPcSbd的III/V半导体的单片集成半导体结构,其中x=70-100摩尔%,y=0-30摩尔%,a=0.5-15摩尔%,b=67.5-99.5摩尔%,c=0-32.0摩尔%,以及d=0-15摩尔%。根据本发明,x和y总是合计为100摩尔%,且a、b、c和d总是合计为100摩尔%。x和y的总和与a、b、c和d的总和之比基本上等于1∶1。本发明还涉及用于产生所述半导体结构的方法,并涉及用其来产生被单片集成到基于Si或GaP技术的集成电路中的发光二极管和激光二极管,或调制器和检测器结构。 |
其他摘要 | 本发明涉及包含基于掺杂Si或掺杂GaP的载体层和安排在所述载体层上并含有成分Gaxlny-NaAsbPcSbd的III/V半导体的单片集成半导体结构,其中x=70-100摩尔%,y=0-30摩尔%,a=0.5-15摩尔%,b=67.5-99.5摩尔%,c=0-32.0摩尔%,以及d=0-15摩尔%。根据本发明,x和y总是合计为100摩尔%,且a、b、c和d总是合计为100摩尔%。x和y的总和与a、b、c和d的总和之比基本上等于1∶1。本发明还涉及用于产生所述半导体结构的方法,并涉及用其来产生被单片集成到基于Si或GaP技术的集成电路中的发光二极管和激光二极管,或调制器和检测器结构。 |
申请日期 | 2006-01-26 |
专利号 | CN101268592A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN200680003007.2 |
公开(公告)号 | CN101268592A |
IPC 分类号 | H01S5/026 | H01S5/323 |
专利代理人 | 曾祥夌 | 陈景峻 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93056 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 马尔堡菲利普斯大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | B・库纳特,J・科克,S・赖恩哈德,等. Ⅲ/Ⅴ半导体. CN101268592A[P]. 2008-09-17. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN101268592A.PDF(1186KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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