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Ⅲ/Ⅴ半导体
其他题名Ⅲ/Ⅴ半导体
B・库纳特; J・科克; S・赖恩哈德; K・沃茨; W・斯托尔茨
2008-09-17
专利权人马尔堡菲利普斯大学
公开日期2008-09-17
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及包含基于掺杂Si或掺杂GaP的载体层和安排在所述载体层上并含有成分Gaxlny－NaAsbPcSbd的III/V半导体的单片集成半导体结构，其中x＝70－100摩尔％，y＝0－30摩尔％，a＝0.5－15摩尔％，b＝67.5－99.5摩尔％，c＝0－32.0摩尔％，以及d＝0－15摩尔％。根据本发明，x和y总是合计为100摩尔％，且a、b、c和d总是合计为100摩尔％。x和y的总和与a、b、c和d的总和之比基本上等于1∶1。本发明还涉及用于产生所述半导体结构的方法，并涉及用其来产生被单片集成到基于Si或GaP技术的集成电路中的发光二极管和激光二极管，或调制器和检测器结构。
其他摘要本发明涉及包含基于掺杂Si或掺杂GaP的载体层和安排在所述载体层上并含有成分Gaxlny－NaAsbPcSbd的III/V半导体的单片集成半导体结构，其中x＝70－100摩尔％，y＝0－30摩尔％，a＝0.5－15摩尔％，b＝67.5－99.5摩尔％，c＝0－32.0摩尔％，以及d＝0－15摩尔％。根据本发明，x和y总是合计为100摩尔％，且a、b、c和d总是合计为100摩尔％。x和y的总和与a、b、c和d的总和之比基本上等于1∶1。本发明还涉及用于产生所述半导体结构的方法，并涉及用其来产生被单片集成到基于Si或GaP技术的集成电路中的发光二极管和激光二极管，或调制器和检测器结构。
申请日期2006-01-26
专利号CN101268592A
专利状态失效
申请号CN200680003007.2
公开（公告）号CN101268592A
IPC 分类号H01S5/026 | H01S5/323
专利代理人曾祥夌 | 陈景峻
代理机构中国专利代理(香港)有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93056
专题半导体激光器专利数据库
作者单位马尔堡菲利普斯大学
推荐引用方式
GB/T 7714		 B・库纳特,J・科克,S・赖恩哈德,等. Ⅲ/Ⅴ半导体. CN101268592A[P]. 2008-09-17.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN101268592A.PDF（1186KB）专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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