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半导体激光器装置及其制作方法
Alternative Title半导体激光器装置及其制作方法
玄永康一; 田中明; 伊藤义行; 渡边实; 奥田肇
2003-03-19
Rights Holder株式会社东芝
Date Available2003-03-19
Country中国
Subtype发明申请
Abstract本发明提供的半导体激光器装置,具有:第1导电型覆盖层(103)、设置在其上的活性层(107)、设置在其上面,在其上部对激光谐振方向平行延设脊的第2导电型覆盖层(108、110)和设置在上述脊两肋的电流抑制层(113);由上述电流抑制层限制的电流,通过上述脊的上面,注入上述活性层,上述第1导电型及第2导电型的覆盖层,由组成大致相同的半导体构成,上述第1导电型的覆盖层的层厚比上述第2导电型覆盖层包含了上述脊的层厚要大。
Other Abstract本发明提供的半导体激光器装置,具有:第1导电型覆盖层(103)、设置在其上的活性层(107)、设置在其上面,在其上部对激光谐振方向平行延设脊的第2导电型覆盖层(108、110)和设置在上述脊两肋的电流抑制层(113);由上述电流抑制层限制的电流,通过上述脊的上面,注入上述活性层,上述第1导电型及第2导电型的覆盖层,由组成大致相同的半导体构成,上述第1导电型的覆盖层的层厚比上述第2导电型覆盖层包含了上述脊的层厚要大。
Application Date2002-09-02
Patent NumberCN1404191A
Status失效
Application NumberCN02132157.4
Open (Notice) NumberCN1404191A
IPC Classification NumberH01S5/22 | H01S5/028 | H01S5/16 | H01S5/20 | H01S5/223 | H01S5/30 | H01S5/32 | H01S5/343 | H01S5/00
Patent Agent黄剑锋
Agency永新专利商标代理有限公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93038
Collection半导体激光器专利数据库
Affiliation株式会社东芝
Recommended Citation
GB/T 7714
玄永康一,田中明,伊藤义行,等. 半导体激光器装置及其制作方法. CN1404191A[P]. 2003-03-19.
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