Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器装置及其制作方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器装置及其制作方法 |
| 玄永康一; 田中明; 伊藤义行; 渡边实; 奥田肇 | |
| 2003-03-19 | |
| 专利权人 | 株式会社东芝 |
| 公开日期 | 2003-03-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供的半导体激光器装置，具有：第1导电型覆盖层(103)、设置在其上的活性层(107)、设置在其上面，在其上部对激光谐振方向平行延设脊的第2导电型覆盖层(108、110)和设置在上述脊两肋的电流抑制层(113)；由上述电流抑制层限制的电流，通过上述脊的上面，注入上述活性层，上述第1导电型及第2导电型的覆盖层，由组成大致相同的半导体构成，上述第1导电型的覆盖层的层厚比上述第2导电型覆盖层包含了上述脊的层厚要大。 |
| 其他摘要 | 本发明提供的半导体激光器装置，具有：第1导电型覆盖层(103)、设置在其上的活性层(107)、设置在其上面，在其上部对激光谐振方向平行延设脊的第2导电型覆盖层(108、110)和设置在上述脊两肋的电流抑制层(113)；由上述电流抑制层限制的电流，通过上述脊的上面，注入上述活性层，上述第1导电型及第2导电型的覆盖层，由组成大致相同的半导体构成，上述第1导电型的覆盖层的层厚比上述第2导电型覆盖层包含了上述脊的层厚要大。 |
| 申请日期 | 2002-09-02 |
| 专利号 | CN1404191A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN02132157.4 |
| 公开（公告）号 | CN1404191A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/028 | H01S5/16 | H01S5/20 | H01S5/223 | H01S5/30 | H01S5/32 | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 黄剑锋 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93038 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玄永康一,田中明,伊藤义行,等. 半导体激光器装置及其制作方法. CN1404191A[P]. 2003-03-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1404191A.PDF（1505KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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