Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
测量荧光或冷光发射衰变的集成光电子系统 | |
其他题名 | 测量荧光或冷光发射衰变的集成光电子系统 |
朱利恩·富凯; 伊安·哈蒂卡斯特勒; 若恩·P·赫宾; 安妮特·C·格罗特; 约翰·弗朗西斯·派特瑞拉 | |
2006-06-28 | |
专利权人 | 阿威雷克斯公司 |
公开日期 | 2006-06-28 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明公开了一种用于测量荧光或冷光发射衰变的光电子系统。该光电子系统:包括(a)光源,其是发光二极管、半导体激光器或闪光管;(b)第一集成电路,其包括至少一个电路,所述电路引起所述光源向样本发射光脉冲,这引起来自所述样本的荧光或冷光发射;(c)光电二极管,其检测所述发射;(d)第二集成电路,其包括检测分析系统,所述检测分析系统通过分析检测到的发射的衰变来确定关于所述样本的信息;以及(e)外壳,其包封所述光源、所述第一集成电路、所述第二集成电路和所述光电二极管。 |
其他摘要 | 本发明公开了一种用于测量荧光或冷光发射衰变的光电子系统。该光电子系统:包括(a)光源,其是发光二极管、半导体激光器或闪光管;(b)第一集成电路,其包括至少一个电路,所述电路引起所述光源向样本发射光脉冲,这引起来自所述样本的荧光或冷光发射;(c)光电二极管,其检测所述发射;(d)第二集成电路,其包括检测分析系统,所述检测分析系统通过分析检测到的发射的衰变来确定关于所述样本的信息;以及(e)外壳,其包封所述光源、所述第一集成电路、所述第二集成电路和所述光电二极管。 |
申请日期 | 2005-09-29 |
专利号 | CN1793861A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN200510105859.X |
公开(公告)号 | CN1793861A |
IPC 分类号 | G01N21/64 |
专利代理人 | 王怡 |
代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92960 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 阿威雷克斯公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱利恩·富凯,伊安·哈蒂卡斯特勒,若恩·P·赫宾,等. 测量荧光或冷光发射衰变的集成光电子系统. CN1793861A[P]. 2006-06-28. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN1793861A.PDF(1221KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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