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测量荧光或冷光发射衰变的集成光电子系统
其他题名测量荧光或冷光发射衰变的集成光电子系统
朱利恩·富凯; 伊安·哈蒂卡斯特勒; 若恩·P·赫宾; 安妮特·C·格罗特; 约翰·弗朗西斯·派特瑞拉
2006-06-28
专利权人阿威雷克斯公司
公开日期2006-06-28
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种用于测量荧光或冷光发射衰变的光电子系统。该光电子系统:包括(a)光源,其是发光二极管、半导体激光器或闪光管;(b)第一集成电路,其包括至少一个电路,所述电路引起所述光源向样本发射光脉冲,这引起来自所述样本的荧光或冷光发射;(c)光电二极管,其检测所述发射;(d)第二集成电路,其包括检测分析系统,所述检测分析系统通过分析检测到的发射的衰变来确定关于所述样本的信息;以及(e)外壳,其包封所述光源、所述第一集成电路、所述第二集成电路和所述光电二极管。
其他摘要本发明公开了一种用于测量荧光或冷光发射衰变的光电子系统。该光电子系统:包括(a)光源,其是发光二极管、半导体激光器或闪光管;(b)第一集成电路,其包括至少一个电路,所述电路引起所述光源向样本发射光脉冲,这引起来自所述样本的荧光或冷光发射;(c)光电二极管,其检测所述发射;(d)第二集成电路,其包括检测分析系统,所述检测分析系统通过分析检测到的发射的衰变来确定关于所述样本的信息;以及(e)外壳,其包封所述光源、所述第一集成电路、所述第二集成电路和所述光电二极管。
申请日期2005-09-29
专利号CN1793861A
专利状态失效
申请号CN200510105859.X
公开(公告)号CN1793861A
IPC 分类号G01N21/64
专利代理人王怡
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92960
专题半导体激光器专利数据库
作者单位阿威雷克斯公司
推荐引用方式
GB/T 7714
朱利恩·富凯,伊安·哈蒂卡斯特勒,若恩·P·赫宾,等. 测量荧光或冷光发射衰变的集成光电子系统. CN1793861A[P]. 2006-06-28.
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CN1793861A.PDF(1221KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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