Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物类半导体激光元件及其制造方法 | |
| 其他题名 | 氮化物类半导体激光元件及其制造方法 |
| 西川学; 太田洁; 市桥由成 | |
| 2010-05-26 | |
| 专利权人 | 三洋电机株式会社 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物类半导体激光元件及其制造方法。该氮化物类半导体激光元件，具备：氮化物类半导体层，其形成于由氮化物类半导体构成的活性层上；和俯视时具有元件所需要的形状的电极层，该电极层包括：形成于氮化物类半导体层的与活性层相反侧的表面上且由Pt构成的第一金属层、形成于第一金属层的表面上且由Pd构成的第二金属层、和形成于第二金属层的表面上且由Pt构成的第三金属层。而且，第三金属层的厚度为第一金属层的厚度的10倍以上30倍以下。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种氮化物类半导体激光元件及其制造方法。该氮化物类半导体激光元件，具备：氮化物类半导体层，其形成于由氮化物类半导体构成的活性层上；和俯视时具有元件所需要的形状的电极层，该电极层包括：形成于氮化物类半导体层的与活性层相反侧的表面上且由Pt构成的第一金属层、形成于第一金属层的表面上且由Pd构成的第二金属层、和形成于第二金属层的表面上且由Pt构成的第三金属层。而且，第三金属层的厚度为第一金属层的厚度的10倍以上30倍以下。 |
| 申请日期 | 2009-09-29 |
| 专利号 | CN101714743A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200910178590.6 |
| 公开（公告）号 | CN101714743A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/343 | H01S5/22 | H01S5/02 |
| 专利代理人 | 龙淳 |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92921 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川学,太田洁,市桥由成. 氮化物类半导体激光元件及其制造方法. CN101714743A[P]. 2010-05-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101714743A.PDF（1684KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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