Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 用于光电子器件的故障保护器及相关方法 | |
| 其他题名 | 用于光电子器件的故障保护器及相关方法 |
| 小威廉・R・本纳 | |
| 2011-06-08 | |
| 专利权人 | 小威廉·R·本纳 |
| 公开日期 | 2011-06-08 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种用于光电子器件的故障保护器，包含有整体体二极管的MOSFET。电容器被连接在该MOSFET的漏极和栅极之间，而电阻器被连接在该MOSFET的栅极和源极之间。MOSFET的漏极可与光电子器件的第一端子连接，而MOSFET的源极可与光电子器件的第二端子连接。该器件通过防止反向偏置电压超过制造商规定的绝对极大值，克服以前已知技术的问题，并且还防止ESD或其他与功率有关的故障避免超过激光二极管的最大正向偏置电压，同时不把显著的电阻或电容添加到该激光二极管，从而不使驱动该激光二极管的任务变复杂。 |
| 其他摘要 | 一种用于光电子器件的故障保护器，包含有整体体二极管的MOSFET。电容器被连接在该MOSFET的漏极和栅极之间，而电阻器被连接在该MOSFET的栅极和源极之间。MOSFET的漏极可与光电子器件的第一端子连接，而MOSFET的源极可与光电子器件的第二端子连接。该器件通过防止反向偏置电压超过制造商规定的绝对极大值，克服以前已知技术的问题，并且还防止ESD或其他与功率有关的故障避免超过激光二极管的最大正向偏置电压，同时不把显著的电阻或电容添加到该激光二极管，从而不使驱动该激光二极管的任务变复杂。 |
| 申请日期 | 2009-07-09 |
| 专利号 | CN102089949A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200980126769 |
| 公开（公告）号 | CN102089949A |
| IPC 分类号 | H02H3/20 |
| 专利代理人 | 蒋世迅 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92817 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 小威廉·R·本纳 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小威廉・R・本纳. 用于光电子器件的故障保护器及相关方法. CN102089949A[P]. 2011-06-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102089949A.PDF（1204KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [小威廉・R・本纳]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [小威廉・R・本纳]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [小威廉・R・本纳]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论