Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器 | |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 鴫原君男 | |
| 2007-09-05 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2007-09-05 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明的课题是减小垂直光束扩展角并减少高输出工作时的端面恶化，通过改善朝向散热体一侧的热移动来提高高输出工作时的可靠性。本发明的半导体激光器具备：具有一个主面的热沉24；在该热沉24的主面上配置的n-AlGaAs包层30；在该n-AlGaAs包层30上配置的AlGaAs有源层34；以及在该AlGaAs有源层34上配置的p-AlGaAs包层38，使AlGaAs有源层34的热沉24一侧的主面与n-AlGaAs包层30的热沉24一侧的主面之间的有效折射率和热阻分别比AlGaAs有源层34的与热沉24相反一侧的主面与p-AlGaAs包层38的与热沉24相反一侧的主面之间的有效折射率和热阻小。 |
| 其他摘要 | 本发明的课题是减小垂直光束扩展角并减少高输出工作时的端面恶化，通过改善朝向散热体一侧的热移动来提高高输出工作时的可靠性。本发明的半导体激光器具备：具有一个主面的热沉24；在该热沉24的主面上配置的n-AlGaAs包层30；在该n-AlGaAs包层30上配置的AlGaAs有源层34；以及在该AlGaAs有源层34上配置的p-AlGaAs包层38，使AlGaAs有源层34的热沉24一侧的主面与n-AlGaAs包层30的热沉24一侧的主面之间的有效折射率和热阻分别比AlGaAs有源层34的与热沉24相反一侧的主面与p-AlGaAs包层38的与热沉24相反一侧的主面之间的有效折射率和热阻小。 |
| 申请日期 | 2004-10-27 |
| 专利号 | CN100336274C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200410087970 |
| 公开（公告）号 | CN100336274C |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/024 | H01S5/343 | B82Y20/00 | H01L21/00 | H01S5/042 | H01S5/20 | H01S5/22 | H01S5/223 | H01S5/32 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 王永刚 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92805 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鴫原君男. 半导体激光器. CN100336274C[P]. 2007-09-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100336274C.PDF（2263KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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