Semiconductor device incorporating a superlattice structure

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Semiconductor device incorporating a superlattice structure
其他题名	Semiconductor device incorporating a superlattice structure
	ANTHONY, WILLIAM, HIGGS; DAVID, GEOFFREY, HAYES; ROBERT, GORDON, DAVIS
	2000-03-29
专利权人	THE SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE
公开日期	2000-03-29
授权国家	英国
专利类型	发明申请
摘要	A semiconductor device, such as vertical-cavity surface emitting laser (VCSEL) or a superlattice-heterojunction bipolar transistor (SL-HBT) 10, incorporates a superlattice region 16 in series with the emitter 14 or another active region. The superlattice region 16 provides a non-linear response to a sufficiently high level of device current counteracting thermal runaway. This protects the device from damaging levels of current. The device 10 may be a radio-frequency SL-HBT with performance equivalent to that of a conventional heterojunction bipolar transistor. If there is a array of devices, e.g. a multi-finger bipolar transistor or an array of VCSELS, the invention prevents current-hogging by a single device. Application to FETs, HEMTs, PHEMTs, MESFETs, HFETs and diodes is also mentioned.
其他摘要	诸如垂直腔表面发射激光器（VCSEL）或超晶格异质结双极晶体管（SL-HBT）10的半导体器件包括与发射极14或另一有源区串联的超晶格区16。超晶格区域16提供对足够高水平的器件电流的非线性响应，以抵消热失控。这可以保护器件免受破坏性电流的影响。器件10可以是射频SL-HBT，其性能等同于传统异质结双极晶体管的性能。如果有一系列设备，例如在多指双极晶体管或VCSELS阵列中，本发明防止单个器件的电流消耗。还提到了对FET，HEMT，PHEMT，MESFET，HFET和二极管的应用。
申请日期	1998-09-22
专利号	GB2341974A
专利状态	失效
申请号	GB1998020567
公开（公告）号	GB2341974A
IPC 分类号	H01L29/778 \| H01L \| H01S \| H01L29/808 \| H01S5/00 \| H01L29/02 \| H01S5/026 \| H01L29/737 \| H01L29/66 \| H01L29/15 \| H01L29/812 \| H01L29/417 \| H01L21/331 \| H01L29/47 \| H01L29/68 \| H01L29/872 \| H01S5/183 \| H01S5/323 \| H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92726
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	THE SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE
推荐引用方式 GB/T 7714	ANTHONY, WILLIAM, HIGGS,DAVID, GEOFFREY, HAYES,ROBERT, GORDON, DAVIS. Semiconductor device incorporating a superlattice structure. GB2341974A[P]. 2000-03-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
GB2341974A.PDF（973KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文