Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器 | |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 西口晴美; 八木哲哉; 吉田保明 | |
| 2007-03-21 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2007-03-21 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n-GaAs衬底1的上边，顺序地将n-AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p-AlxGa1-xAs-ESL5、具备条状凸部(6)的p-AlGaInP第2上包层(7)、以及p-GaAs接触层(8)层叠起来。除p-AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P-AlxGa1-xAs-ESL5的折射率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n-GaAs衬底1的上边，顺序地将n-AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p-AlxGa1-xAs-ESL5、具备条状凸部(6)的p-AlGaInP第2上包层(7)、以及p-GaAs接触层(8)层叠起来。除p-AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P-AlxGa1-xAs-ESL5的折射率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。 |
| 申请日期 | 2003-11-06 |
| 专利号 | CN1306669C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200310119695.7 |
| 公开（公告）号 | CN1306669C |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/30 | H01S5/10 | H01L27/15 | H01S5/16 | H01S5/20 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 程天正 | 王忠忠 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92677 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西口晴美,八木哲哉,吉田保明. 半导体激光器. CN1306669C[P]. 2007-03-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1306669C.PDF（591KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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