微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构

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	微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构
其他题名	微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构
	张祥伟; 宁永强; 秦莉; 刘云; 王立军
	2012-10-03
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-10-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构，属于半导体光电子学技术领域，为提高现有高功率垂直腔面发射激光器光束的相干度，本发明提供微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构，包括多个微透镜集成垂直腔面发射激光器，所述每个微透镜集成垂直腔面发射激光器由上至下为n面电极、衬底、缓冲层、n型DBR层、有源区、氧化限制层、p型DBR层、欧姆接触层和金属栅格电极；所述衬底上面腐蚀成微透镜；在所述有源区向下至金属栅格电极两侧设置钝化层。本发明是阵列单元之间相干耦合输出的高功率垂直腔面发射激光器阵列，具有良好的光束相干性，在激光探测、激光雷达成像、激光加工、激光操控、激光武器等应用领域具有潜在的价值。
其他摘要	微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构，属于半导体光电子学技术领域，为提高现有高功率垂直腔面发射激光器光束的相干度，本发明提供微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构，包括多个微透镜集成垂直腔面发射激光器，所述每个微透镜集成垂直腔面发射激光器由上至下为n面电极、衬底、缓冲层、n型DBR层、有源区、氧化限制层、p型DBR层、欧姆接触层和金属栅格电极；所述衬底上面腐蚀成微透镜；在所述有源区向下至金属栅格电极两侧设置钝化层。本发明是阵列单元之间相干耦合输出的高功率垂直腔面发射激光器阵列，具有良好的光束相干性，在激光探测、激光雷达成像、激光加工、激光操控、激光武器等应用领域具有潜在的价值。
申请日期	2012-05-29
专利号	CN102709808A
专利状态	失效
申请号	CN201210171262.5
公开（公告）号	CN102709808A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/026
专利代理人	南小平
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92619
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张祥伟,宁永强,秦莉,等. 微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构. CN102709808A[P]. 2012-10-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102709808A.PDF（1261KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文