一种III-V族硅基低折射率缝隙结构DBR激光器及集成方法

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	一种III-V族硅基低折射率缝隙结构DBR激光器及集成方法
其他题名	一种III-V族硅基低折射率缝隙结构DBR激光器及集成方法
	黄卫平; 曲莫; 李俣; 冯佩
	2019-09-24
专利权人	山东大学
公开日期	2019-09-24
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种III‑V族硅基低折射率缝隙结构DBR激光器及集成方法，属于激光器技术领域，激光发光装置从上而下包括有源层、硅层、二氧化硅衬底，有源层包括矩形端和梯形端，梯形端的长边与矩形端相连，矩形端和梯形端一体制造；硅层为矩形条，硅层一端设有开口通槽，开口通槽的底部设有凸脊，凸脊的水平投影为梯形，凸脊的长边与开口通槽的底部连接。光正向传输时从有源层耦合至硅层，引入低折射率双斜劈结构，配合有源层尾部为近锥形的梯形结构，实现有源层和硅层的相互耦合，整个耦合区长度小于5μm，最小可达到3μm，理论耦合效率大于99％，尺寸远小于同类激光器结构，可实现器件小型化。
其他摘要	本发明涉及一种III‑V族硅基低折射率缝隙结构DBR激光器及集成方法，属于激光器技术领域，激光发光装置从上而下包括有源层、硅层、二氧化硅衬底，有源层包括矩形端和梯形端，梯形端的长边与矩形端相连，矩形端和梯形端一体制造；硅层为矩形条，硅层一端设有开口通槽，开口通槽的底部设有凸脊，凸脊的水平投影为梯形，凸脊的长边与开口通槽的底部连接。光正向传输时从有源层耦合至硅层，引入低折射率双斜劈结构，配合有源层尾部为近锥形的梯形结构，实现有源层和硅层的相互耦合，整个耦合区长度小于5μm，最小可达到3μm，理论耦合效率大于99％，尺寸远小于同类激光器结构，可实现器件小型化。
申请日期	2018-03-15
专利号	CN110277731A
专利状态	申请中
申请号	CN201810213367.X
公开（公告）号	CN110277731A
IPC 分类号	H01S5/125 \| H01S5/22
专利代理人	王楠
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92473
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东大学
推荐引用方式 GB/T 7714	黄卫平,曲莫,李俣,等. 一种III-V族硅基低折射率缝隙结构DBR激光器及集成方法. CN110277731A[P]. 2019-09-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110277731A.PDF（469KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文