Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种基于SiP封装的纳秒级大电流激光驱动芯片 | |
| 其他题名 | 一种基于SiP封装的纳秒级大电流激光驱动芯片 |
| 张雷; 李海东 | |
| 2019-09-20 | |
| 专利权人 | 北京雷动智创科技有限公司 |
| 公开日期 | 2019-09-20 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种基于SiP封装的纳秒级大电流激光驱动芯片，其包括充电限流电路、储能单元、电流采样电路、GaN FET功率器件、GaN FET驱动电路、窄脉冲发生电路、续流电路、ESD抑制电路。本发明专利中的充电限流电路由电阻并联构成，窄脉冲发生电路能够产生纳秒级窄脉冲，通过GaN驱动电路驱动GaN FET器件产生大电流纳秒级脉冲，GaN FET作为激光驱动的开关控制输出的脉冲。与传统的纳秒级驱动电源相比，本发明专利采用SiP封装芯片可以降低电路尺寸，减小激光驱动回路的寄生电感，简化纳秒级激光系统的设计。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种基于SiP封装的纳秒级大电流激光驱动芯片，其包括充电限流电路、储能单元、电流采样电路、GaN FET功率器件、GaN FET驱动电路、窄脉冲发生电路、续流电路、ESD抑制电路。本发明专利中的充电限流电路由电阻并联构成，窄脉冲发生电路能够产生纳秒级窄脉冲，通过GaN驱动电路驱动GaN FET器件产生大电流纳秒级脉冲，GaN FET作为激光驱动的开关控制输出的脉冲。与传统的纳秒级驱动电源相比，本发明专利采用SiP封装芯片可以降低电路尺寸，减小激光驱动回路的寄生电感，简化纳秒级激光系统的设计。 |
| 申请日期 | 2019-05-06 |
| 专利号 | CN110265867A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910372850.7 |
| 公开（公告）号 | CN110265867A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 |
| 专利代理人 | 邢江峰 |
| 代理机构 | 北京久维律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92468 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京雷动智创科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张雷,李海东. 一种基于SiP封装的纳秒级大电流激光驱动芯片. CN110265867A[P]. 2019-09-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN110265867A.PDF（335KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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