Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法 | |
| 其他题名 | 基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法 |
| 姬小利; 谭晓宇; 魏同波; 王军喜; 杨富华; 李晋闽 | |
| 2019-08-30 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2019-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法，基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Ga1‑x)N层和多孔AlyGa1‑yN层。本发明还提供一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜的制备方法，在衬底上沉积成核层、缓冲层、应力调控层，以及交替堆叠多周期的Alx(Ga1‑x)N薄膜和AlyGa1‑yN薄膜，然后进行光电化学刻蚀，通过光电化学反应的带隙选择性将AlGaN层多孔化，形成基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜。 |
| 其他摘要 | 一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法，基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Ga1‑x)N层和多孔AlyGa1‑yN层。本发明还提供一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜的制备方法，在衬底上沉积成核层、缓冲层、应力调控层，以及交替堆叠多周期的Alx(Ga1‑x)N薄膜和AlyGa1‑yN薄膜，然后进行光电化学刻蚀，通过光电化学反应的带隙选择性将AlGaN层多孔化，形成基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜。 |
| 申请日期 | 2019-05-28 |
| 专利号 | CN110190511A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910454743.9 |
| 公开（公告）号 | CN110190511A |
| IPC 分类号 | H01S5/125 | H01S5/183 | H01S5/187 | H01L33/10 | H01L33/32 | H01L31/101 | H01L31/0304 |
| 专利代理人 | 喻颖 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92458 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姬小利,谭晓宇,魏同波,等. 基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法. CN110190511A[P]. 2019-08-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN110190511A.PDF（556KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [姬小利]的文章 |
| [谭晓宇]的文章 |
| [魏同波]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [姬小利]的文章 |
| [谭晓宇]的文章 |
| [魏同波]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [姬小利]的文章 |
| [谭晓宇]的文章 |
| [魏同波]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论