Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种基于高阶横模波导输出的混合集成激光器芯片结构 | |
| 其他题名 | 一种基于高阶横模波导输出的混合集成激光器芯片结构 |
| 郑婉华; 陈忠浩; 渠红伟; 贾宇飞; 林海鹏 | |
| 2019-08-27 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2019-08-27 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种基于高阶横模波导输出的混合集成激光器芯片结构，包括激光器和SOI波导，所述激光器包括：P型波导层，用于限制基膜激射、产生高阶横模激射以及使光场向P型区扩展；有源区，设置于P型波导层之上，用于增益发光；N型限制层，设置于有源区之上，用于限制光场向N型区的扩展；N型衬底层及N面电极，设置于N型限制层之上，用于生长外延材料及载流子的注入；所述SOI波导，设置于所述激光器之下，与激光器通过键合技术或BCB胶合成一整体，形成复合激光腔。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种基于高阶横模波导输出的混合集成激光器芯片结构，包括激光器和SOI波导，所述激光器包括：P型波导层，用于限制基膜激射、产生高阶横模激射以及使光场向P型区扩展；有源区，设置于P型波导层之上，用于增益发光；N型限制层，设置于有源区之上，用于限制光场向N型区的扩展；N型衬底层及N面电极，设置于N型限制层之上，用于生长外延材料及载流子的注入；所述SOI波导，设置于所述激光器之下，与激光器通过键合技术或BCB胶合成一整体，形成复合激光腔。 |
| 申请日期 | 2019-06-19 |
| 专利号 | CN110176718A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910534116.6 |
| 公开（公告）号 | CN110176718A |
| IPC 分类号 | H01S5/32 | H01S5/323 | H01S5/34 | H01S5/20 |
| 专利代理人 | 张宇园 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92455 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,陈忠浩,渠红伟,等. 一种基于高阶横模波导输出的混合集成激光器芯片结构. CN110176718A[P]. 2019-08-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN110176718A.PDF（685KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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