一种直接调制激光器中的热隔离高频信号传输结构

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	一种直接调制激光器中的热隔离高频信号传输结构
其他题名	一种直接调制激光器中的热隔离高频信号传输结构
	张童童; 杜林秀; 景飞; 廖翔; 吕晓萌; 伍艺龙; 高阳; 余昌喜
	2019-08-16
专利权人	中国电子科技集团公司第二十九研究所
公开日期	2019-08-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及光电子器件领域，公开了一种直接调制激光器中的热隔离高频信号传输结构。包括第一传输电路片、第二传输电路片、电容、激光器芯片、半导体制冷器、恒温区域和非恒温区域，所述第一传输电路片和第二传输电路片分别安装在非恒温区域和恒温区域，所述电容的两个金属电极分别安装在第一传输电路片和第二传输电路片上，所述第二传输电路片的传输线和激光器芯片表面焊盘连接，所述恒温区域和非恒温区域的热量通过半导体制冷器传递。本发明中电容的两个金属电极分别安装在恒温区域和非恒温区域，金属电极之间的介质材料可以是热导率很低的材料，减弱非恒温区域和恒温区域之间的热传导，从而降低半导体制冷器的功耗和电流。
其他摘要	本发明涉及光电子器件领域，公开了一种直接调制激光器中的热隔离高频信号传输结构。包括第一传输电路片、第二传输电路片、电容、激光器芯片、半导体制冷器、恒温区域和非恒温区域，所述第一传输电路片和第二传输电路片分别安装在非恒温区域和恒温区域，所述电容的两个金属电极分别安装在第一传输电路片和第二传输电路片上，所述第二传输电路片的传输线和激光器芯片表面焊盘连接，所述恒温区域和非恒温区域的热量通过半导体制冷器传递。本发明中电容的两个金属电极分别安装在恒温区域和非恒温区域，金属电极之间的介质材料可以是热导率很低的材料，减弱非恒温区域和恒温区域之间的热传导，从而降低半导体制冷器的功耗和电流。
申请日期	2019-06-17
专利号	CN110137789A
专利状态	申请中
申请号	CN201910521604.3
公开（公告）号	CN110137789A
IPC 分类号	H01S3/04 \| H01S3/042 \| H01S5/024
专利代理人	夏琴
代理机构	成都九鼎天元知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92445
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国电子科技集团公司第二十九研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张童童,杜林秀,景飞,等. 一种直接调制激光器中的热隔离高频信号传输结构. CN110137789A[P]. 2019-08-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110137789A.PDF（517KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文