Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种多孔GaN导电DBR及其制备方法 | |
| 其他题名 | 一种多孔GaN导电DBR及其制备方法 |
| 张宇; 魏斌 | |
| 2019-07-26 | |
| 专利权人 | 山东大学 |
| 公开日期 | 2019-07-26 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种多孔GaN导电DBR及其制备方法，包括自下而上依次生长的衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型故意掺杂氮化镓层和多孔GaN导电DBR层；所述多孔GaN导电DBR层由高孔洞率多孔GaN层和低孔洞率多孔GaN层交替堆叠形成。本发明不存在晶格失配问题，结构稳定，且多孔GaN导电DBR层具有高反射率、导电性好、中心波长可调的特点。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种多孔GaN导电DBR及其制备方法，包括自下而上依次生长的衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型故意掺杂氮化镓层和多孔GaN导电DBR层；所述多孔GaN导电DBR层由高孔洞率多孔GaN层和低孔洞率多孔GaN层交替堆叠形成。本发明不存在晶格失配问题，结构稳定，且多孔GaN导电DBR层具有高反射率、导电性好、中心波长可调的特点。 |
| 申请日期 | 2019-04-26 |
| 专利号 | CN110061109A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910342832.4 |
| 公开（公告）号 | CN110061109A |
| IPC 分类号 | H01L33/10 | H01L33/46 | H01S5/183 |
| 专利代理人 | 赵龙群 |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92432 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张宇,魏斌. 一种多孔GaN导电DBR及其制备方法. CN110061109A[P]. 2019-07-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN110061109A.PDF（674KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [张宇]的文章 |
| [魏斌]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [张宇]的文章 |
| [魏斌]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [张宇]的文章 |
| [魏斌]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论