氮化铝自支撑衬底及其制备方法

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	氮化铝自支撑衬底及其制备方法
其他题名	氮化铝自支撑衬底及其制备方法
	何晨光; 陈志涛; 赵维; 吴华龙; 贺龙飞; 张康; 廖乾光; 刘云洲
	2019-05-07
专利权人	广东省半导体产业技术研究院
公开日期	2019-05-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种氮化铝自支撑衬底及其制备方法，涉及半导体技术领域。在制作快速生长高温氮化铝层时，在氮化铝材料没有将三维岛状结构之间的间隙填充满的情况下，氮化铝材料快速合拢，没有被氮化铝材料填充满的三维岛状结构之间的间隙就可以形成大量的空洞，这些空洞可以减少快速生长高温氮化铝层和低温氮化铝层之间的接触面积，使快速生长高温氮化铝层和氮化铝厚膜在晶格失配和热失配应变的作用下可以同其他层自分离，得到自支撑衬底。高密度、小尺寸的空洞有利于释放应变防止表面开裂，提供了位错中止的自由面降低贯穿位错密度，得到位错密度很低的自支撑衬底。该方法分离工序简单，成品率高，可实现高质量氮化铝自支撑衬底的大规模产业化。
其他摘要	本发明提供了一种氮化铝自支撑衬底及其制备方法，涉及半导体技术领域。在制作快速生长高温氮化铝层时，在氮化铝材料没有将三维岛状结构之间的间隙填充满的情况下，氮化铝材料快速合拢，没有被氮化铝材料填充满的三维岛状结构之间的间隙就可以形成大量的空洞，这些空洞可以减少快速生长高温氮化铝层和低温氮化铝层之间的接触面积，使快速生长高温氮化铝层和氮化铝厚膜在晶格失配和热失配应变的作用下可以同其他层自分离，得到自支撑衬底。高密度、小尺寸的空洞有利于释放应变防止表面开裂，提供了位错中止的自由面降低贯穿位错密度，得到位错密度很低的自支撑衬底。该方法分离工序简单，成品率高，可实现高质量氮化铝自支撑衬底的大规模产业化。
申请日期	2018-12-30
专利号	CN109728138A
专利状态	申请中
申请号	CN201811648628.7
公开（公告）号	CN109728138A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L33/32 \| H01S5/02
专利代理人	邓超
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92387
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	广东省半导体产业技术研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	何晨光,陈志涛,赵维,等. 氮化铝自支撑衬底及其制备方法. CN109728138A[P]. 2019-05-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109728138A.PDF（599KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文