一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法

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	一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法
其他题名	一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法
	汪炼成; 万荣桥; 林蕴
	2019-04-30
专利权人	中南大学
公开日期	2019-04-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法，属于半导体技术领域，本发明采用Ⅲ族氮化物作为增益介质，棱台形的金字塔微腔作为谐振腔，垂直结构的衬底作为底电极，在金字塔顶部制作顶电极，其可根据Ⅲ族氮化物中Ⅲ族元素(In，Ga，Al)可调的特点，覆盖从红外(InN)到深紫外(AlN)的波段，金字塔台微腔采用湿法刻蚀氮极性面得到，工艺简单，能提高晶体质量，利用金字塔侧壁和底面的金属反射镜层的光限制效应从而实现激射。本发明利用氮极性面的湿法蚀刻对垂直结构外延进行蚀刻，得到分立的金字塔台型微腔，采用电子束曝光、金属蒸镀等工艺在金字塔台顶部制作顶电极，在正向偏压下注入电流，实现电注入和金字塔台微腔定向光输出。
其他摘要	本发明公开了一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法，属于半导体技术领域，本发明采用Ⅲ族氮化物作为增益介质，棱台形的金字塔微腔作为谐振腔，垂直结构的衬底作为底电极，在金字塔顶部制作顶电极，其可根据Ⅲ族氮化物中Ⅲ族元素(In，Ga，Al)可调的特点，覆盖从红外(InN)到深紫外(AlN)的波段，金字塔台微腔采用湿法刻蚀氮极性面得到，工艺简单，能提高晶体质量，利用金字塔侧壁和底面的金属反射镜层的光限制效应从而实现激射。本发明利用氮极性面的湿法蚀刻对垂直结构外延进行蚀刻，得到分立的金字塔台型微腔，采用电子束曝光、金属蒸镀等工艺在金字塔台顶部制作顶电极，在正向偏压下注入电流，实现电注入和金字塔台微腔定向光输出。
申请日期	2018-12-26
专利号	CN109698464A
专利状态	申请中
申请号	CN201811603550.7
公开（公告）号	CN109698464A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/10 \| H01S5/20 \| H01S5/34 \| H01S5/343
专利代理人	周咏 \| 林毓俊
代理机构	长沙永星专利商标事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92384
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中南大学
推荐引用方式 GB/T 7714	汪炼成,万荣桥,林蕴. 一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法. CN109698464A[P]. 2019-04-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109698464A.PDF（446KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文