一种场致电子束泵浦紫外光源

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	一种场致电子束泵浦紫外光源
Alternative Title	一种场致电子束泵浦紫外光源
	陈一仁; 宋航; 张志伟; 缪国庆; 蒋红; 李志明; 孙晓娟; 黎大兵
	2019-03-29
Rights Holder	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Date Available	2019-03-29
Country	中国
Subtype	发明申请
Abstract	本发明公开了一种场致电子束泵浦紫外光源，所述场发射电子源包括第一电极、第二电极、n型GaN半导体层、场致发射阴极阵列及第一电源；所述场发射电子源的外延层由蓝宝石衬底向外依次为所述第二AlN缓冲层、所述n型GaN半导体层；所述第一电极与所述第二电极设置于所述n型GaN半导体层同一表面且所述第一电极与所述第二电极之间具有空隙，所述第一电极与所述第二电极无直接接触；所述场致发射阴极阵列设置于所述空隙中，且所述场致发射阴极阵列与所述n型GaN半导体层接触设置；所述场致发射阴极为具有紫外光敏特性的场致发射阴极；所述第一电极与所述第二电极分别连接于第一电源的正极与负极。本发明提高了场致电子束泵浦紫外光源的发光功率。
Other Abstract	本发明公开了一种场致电子束泵浦紫外光源，所述场发射电子源包括第一电极、第二电极、n型GaN半导体层、场致发射阴极阵列及第一电源；所述场发射电子源的外延层由蓝宝石衬底向外依次为所述第二AlN缓冲层、所述n型GaN半导体层；所述第一电极与所述第二电极设置于所述n型GaN半导体层同一表面且所述第一电极与所述第二电极之间具有空隙，所述第一电极与所述第二电极无直接接触；所述场致发射阴极阵列设置于所述空隙中，且所述场致发射阴极阵列与所述n型GaN半导体层接触设置；所述场致发射阴极为具有紫外光敏特性的场致发射阴极；所述第一电极与所述第二电极分别连接于第一电源的正极与负极。本发明提高了场致电子束泵浦紫外光源的发光功率。
Application Date	2018-11-22
Patent Number	CN109546527A
Status	申请中
Application Number	CN201811405854.2
Open (Notice) Number	CN109546527A
IPC Classification Number	H01S5/042
Patent Agent	罗满
Agency	北京集佳知识产权代理有限公司
Document Type	专利
Identifier	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92363
Collection	半导体激光器专利数据库
Affiliation	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Recommended Citation GB/T 7714	陈一仁,宋航,张志伟,等. 一种场致电子束泵浦紫外光源. CN109546527A[P]. 2019-03-29.

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CN109546527A.PDF（1440KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	Application Full Text

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