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一种场致电子束泵浦紫外光源
其他题名一种场致电子束泵浦紫外光源
陈一仁; 宋航; 张志伟; 缪国庆; 蒋红; 李志明; 孙晓娟; 黎大兵
2019-03-29
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期2019-03-29
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种场致电子束泵浦紫外光源,所述场发射电子源包括第一电极、第二电极、n型GaN半导体层、场致发射阴极阵列及第一电源;所述场发射电子源的外延层由蓝宝石衬底向外依次为所述第二AlN缓冲层、所述n型GaN半导体层;所述第一电极与所述第二电极设置于所述n型GaN半导体层同一表面且所述第一电极与所述第二电极之间具有空隙,所述第一电极与所述第二电极无直接接触;所述场致发射阴极阵列设置于所述空隙中,且所述场致发射阴极阵列与所述n型GaN半导体层接触设置;所述场致发射阴极为具有紫外光敏特性的场致发射阴极;所述第一电极与所述第二电极分别连接于第一电源的正极与负极。本发明提高了场致电子束泵浦紫外光源的发光功率。
其他摘要本发明公开了一种场致电子束泵浦紫外光源,所述场发射电子源包括第一电极、第二电极、n型GaN半导体层、场致发射阴极阵列及第一电源;所述场发射电子源的外延层由蓝宝石衬底向外依次为所述第二AlN缓冲层、所述n型GaN半导体层;所述第一电极与所述第二电极设置于所述n型GaN半导体层同一表面且所述第一电极与所述第二电极之间具有空隙,所述第一电极与所述第二电极无直接接触;所述场致发射阴极阵列设置于所述空隙中,且所述场致发射阴极阵列与所述n型GaN半导体层接触设置;所述场致发射阴极为具有紫外光敏特性的场致发射阴极;所述第一电极与所述第二电极分别连接于第一电源的正极与负极。本发明提高了场致电子束泵浦紫外光源的发光功率。
申请日期2018-11-22
专利号CN109546527A
专利状态申请中
申请号CN201811405854.2
公开(公告)号CN109546527A
IPC 分类号H01S5/042
专利代理人罗满
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92363
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈一仁,宋航,张志伟,等. 一种场致电子束泵浦紫外光源. CN109546527A[P]. 2019-03-29.
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CN109546527A.PDF(1440KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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