Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种场致电子束泵浦紫外光源 | |
其他题名 | 一种场致电子束泵浦紫外光源 |
陈一仁; 宋航; 张志伟; 缪国庆; 蒋红; 李志明; 孙晓娟; 黎大兵 | |
2019-03-29 | |
专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
公开日期 | 2019-03-29 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明公开了一种场致电子束泵浦紫外光源,所述场发射电子源包括第一电极、第二电极、n型GaN半导体层、场致发射阴极阵列及第一电源;所述场发射电子源的外延层由蓝宝石衬底向外依次为所述第二AlN缓冲层、所述n型GaN半导体层;所述第一电极与所述第二电极设置于所述n型GaN半导体层同一表面且所述第一电极与所述第二电极之间具有空隙,所述第一电极与所述第二电极无直接接触;所述场致发射阴极阵列设置于所述空隙中,且所述场致发射阴极阵列与所述n型GaN半导体层接触设置;所述场致发射阴极为具有紫外光敏特性的场致发射阴极;所述第一电极与所述第二电极分别连接于第一电源的正极与负极。本发明提高了场致电子束泵浦紫外光源的发光功率。 |
其他摘要 | 本发明公开了一种场致电子束泵浦紫外光源,所述场发射电子源包括第一电极、第二电极、n型GaN半导体层、场致发射阴极阵列及第一电源;所述场发射电子源的外延层由蓝宝石衬底向外依次为所述第二AlN缓冲层、所述n型GaN半导体层;所述第一电极与所述第二电极设置于所述n型GaN半导体层同一表面且所述第一电极与所述第二电极之间具有空隙,所述第一电极与所述第二电极无直接接触;所述场致发射阴极阵列设置于所述空隙中,且所述场致发射阴极阵列与所述n型GaN半导体层接触设置;所述场致发射阴极为具有紫外光敏特性的场致发射阴极;所述第一电极与所述第二电极分别连接于第一电源的正极与负极。本发明提高了场致电子束泵浦紫外光源的发光功率。 |
申请日期 | 2018-11-22 |
专利号 | CN109546527A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201811405854.2 |
公开(公告)号 | CN109546527A |
IPC 分类号 | H01S5/042 |
专利代理人 | 罗满 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92363 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈一仁,宋航,张志伟,等. 一种场致电子束泵浦紫外光源. CN109546527A[P]. 2019-03-29. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN109546527A.PDF(1440KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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