Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| DFB激光器外延结构及其制备方法 | |
| 其他题名 | DFB激光器外延结构及其制备方法 |
| 单智发; 张永 | |
| 2019-03-22 | |
| 专利权人 | 全磊光电股份有限公司 |
| 公开日期 | 2019-03-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种DFB激光器外延结构，其包括其包括自下而上依次层叠设置的衬底、光栅层、缓冲层、限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、过渡层、腐蚀阻挡层、包层、势垒渐变层和欧姆接触层。本发明还涉及所述DFB激光器外延结构的制备方法。本发明提供的DFB激光器外延结构将光栅设置于N型层，由于N型半导体材料中，传输电流的载流子是电子，其具有比P型半导体载流子空穴更长的载流子寿命和输运长度，可以减小寄生电阻，提高DFB激光器的调制速率。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种DFB激光器外延结构，其包括其包括自下而上依次层叠设置的衬底、光栅层、缓冲层、限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、过渡层、腐蚀阻挡层、包层、势垒渐变层和欧姆接触层。本发明还涉及所述DFB激光器外延结构的制备方法。本发明提供的DFB激光器外延结构将光栅设置于N型层，由于N型半导体材料中，传输电流的载流子是电子，其具有比P型半导体载流子空穴更长的载流子寿命和输运长度，可以减小寄生电阻，提高DFB激光器的调制速率。 |
| 申请日期 | 2019-01-15 |
| 专利号 | CN109510063A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910036650.4 |
| 公开（公告）号 | CN109510063A |
| IPC 分类号 | H01S5/125 |
| 专利代理人 | 徐东峰 |
| 代理机构 | 厦门原创专利事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92360 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 全磊光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 单智发,张永. DFB激光器外延结构及其制备方法. CN109510063A[P]. 2019-03-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109510063A.PDF（393KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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