高能量密度激光发射器模块

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	高能量密度激光发射器模块
其他题名	高能量密度激光发射器模块
	G·弗伊洛雷; Y·拉奥盖
	2019-03-15
专利权人	西德尔合作公司
公开日期	2019-03-15
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及模块(33)，其具有主体(35)和一系列激光发射器(1)，激光发射器(1)叠置且每个固定于主体(35)，每个具有：载体(3)，其具有正面(4)，在正面(4)的两侧由相对的上部侧面(6)和下部侧面(7)限定；激光器芯片(2)，安装在载体(3)的正面(4)上，至少一个向激光芯片(2)供电的电源(15)；其特征在于，对于固定于主体并且叠置的至少两个激光发射器(1)来说：激光芯片(2)布置成包括以下排的至少两排(9，10)激光芯片：上排(9)，具有朝向载体(3)的上部侧面(6)的外边缘(11)和相对的内边缘(12)；下排(10)，具有朝向载体(3)的下部侧面(7)的外边缘(13)和相对的内边缘(14)；以及相邻的平行的两排(9，10)激光芯片(2)的内边缘(12，14)之间的距离E1，大于或等于上排(9)的外边缘(11)至上部侧面(6)的距离E3与下排(10)的外边缘(13)至下部侧面(7)的距离E4之和。
其他摘要	本发明涉及模块(33)，其具有主体(35)和一系列激光发射器(1)，激光发射器(1)叠置且每个固定于主体(35)，每个具有：载体(3)，其具有正面(4)，在正面(4)的两侧由相对的上部侧面(6)和下部侧面(7)限定；激光器芯片(2)，安装在载体(3)的正面(4)上，至少一个向激光芯片(2)供电的电源(15)；其特征在于，对于固定于主体并且叠置的至少两个激光发射器(1)来说：激光芯片(2)布置成包括以下排的至少两排(9，10)激光芯片：上排(9)，具有朝向载体(3)的上部侧面(6)的外边缘(11)和相对的内边缘(12)；下排(10)，具有朝向载体(3)的下部侧面(7)的外边缘(13)和相对的内边缘(14)；以及相邻的平行的两排(9，10)激光芯片(2)的内边缘(12，14)之间的距离E1，大于或等于上排(9)的外边缘(11)至上部侧面(6)的距离E3与下排(10)的外边缘(13)至下部侧面(7)的距离E4之和。
申请日期	2017-07-10
专利号	CN109478768A
专利状态	申请中
申请号	CN201780044552.4
公开（公告）号	CN109478768A
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/42 \| H01S5/022 \| H01S5/024 \| B29C49/64 \| B29C49/06
专利代理人	李丽
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92356
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西德尔合作公司
推荐引用方式 GB/T 7714	G·弗伊洛雷,Y·拉奥盖. 高能量密度激光发射器模块. CN109478768A[P]. 2019-03-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109478768A.PDF（1989KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文