Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法 | |
| 其他题名 | SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法 |
| 舒斌; 高玉龙; 张利锋; 胡辉勇; 王斌; 王利明; 韩本光; 张鹤鸣 | |
| 2019-03-08 | |
| 专利权人 | 西安电子科技大学 |
| 公开日期 | 2019-03-08 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法。方法包括：在Si衬底的表面形成p型Si1‑xGex层；在p型Si1‑xGex层的表面形成SiN层；将SiN层的中间区域刻蚀掉，使两端的SiN层和底部的p型Si1‑xGex层形成一凹槽；在凹槽内形成n型Ge层，且n型Ge层的厚度与SiN层的厚度相同；在SiN层表面和n型Ge层的表面形成n型Si1‑xGex层；在n型Si1‑xGex层的表面形成Si帽层；在Si帽层上形成电极。本发明的SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器又具有较高的光电转换效率和较低的阈值电流密度，光稳定性好；其制备方法既能够兼容CMOS工艺，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法。方法包括：在Si衬底的表面形成p型Si1‑xGex层；在p型Si1‑xGex层的表面形成SiN层；将SiN层的中间区域刻蚀掉，使两端的SiN层和底部的p型Si1‑xGex层形成一凹槽；在凹槽内形成n型Ge层，且n型Ge层的厚度与SiN层的厚度相同；在SiN层表面和n型Ge层的表面形成n型Si1‑xGex层；在n型Si1‑xGex层的表面形成Si帽层；在Si帽层上形成电极。本发明的SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器又具有较高的光电转换效率和较低的阈值电流密度，光稳定性好；其制备方法既能够兼容CMOS工艺，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。 |
| 申请日期 | 2018-09-17 |
| 专利号 | CN109449757A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201811082949 |
| 公开（公告）号 | CN109449757A |
| IPC 分类号 | H01S5/32 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 张捷 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92341 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安电子科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 舒斌,高玉龙,张利锋,等. SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法. CN109449757A[P]. 2019-03-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109449757A.PDF（611KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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