SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法
其他题名	SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法
	舒斌; 高玉龙; 张利锋; 胡辉勇; 王斌; 王利明; 韩本光; 张鹤鸣
	2019-03-08
专利权人	西安电子科技大学
公开日期	2019-03-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法。方法包括：在Si衬底的表面形成p型Si1‑xGex层；在p型Si1‑xGex层的表面形成SiN层；将SiN层的中间区域刻蚀掉，使两端的SiN层和底部的p型Si1‑xGex层形成一凹槽；在凹槽内形成n型Ge层，且n型Ge层的厚度与SiN层的厚度相同；在SiN层表面和n型Ge层的表面形成n型Si1‑xGex层；在n型Si1‑xGex层的表面形成Si帽层；在Si帽层上形成电极。本发明的SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器又具有较高的光电转换效率和较低的阈值电流密度，光稳定性好；其制备方法既能够兼容CMOS工艺，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。
其他摘要	本发明公开了一种SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法。方法包括：在Si衬底的表面形成p型Si_1‑xGe_x层；在p型Si_1‑xGe_x层的表面形成SiN层；将SiN层的中间区域刻蚀掉，使两端的SiN层和底部的p型Si_1‑xGe_x层形成一凹槽；在凹槽内形成n型Ge层，且n型Ge层的厚度与SiN层的厚度相同；在SiN层表面和n型Ge层的表面形成n型Si_1‑xGe_x层；在n型Si_1‑xGe_x层的表面形成Si帽层；在Si帽层上形成电极。本发明的SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器又具有较高的光电转换效率和较低的阈值电流密度，光稳定性好；其制备方法既能够兼容CMOS工艺，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。
申请日期	2018-09-17
专利号	CN109449757A
专利状态	授权
申请号	CN201811082949
公开（公告）号	CN109449757A
IPC 分类号	H01S5/32 \| H01S5/30
专利代理人	张捷
代理机构	西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92341
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安电子科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	舒斌,高玉龙,张利锋,等. SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法. CN109449757A[P]. 2019-03-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109449757A.PDF（611KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文