蓝光边发射激光器及其制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	蓝光边发射激光器及其制备方法
其他题名	蓝光边发射激光器及其制备方法
	孙慧卿; 李书朋; 郭志友
	2019-02-22
专利权人	华南师范大学
公开日期	2019-02-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及蓝光边发射激光器及其制备方法，其包括依次层叠于衬底上的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括N型缓冲层、N型限制层、N型波导层、量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型缓冲层以及欧姆接触层，在所述边发射激光器的出光面设置有石墨烯层与金颗粒的复合结构。本发明将通过石墨烯与金颗粒的复合结构与激光器的激光耦合，产生等离子激元效应，通过金属成分的等离激元效应增强光吸收，然后将吸收的光传输到石墨烯部分，将光场限制在衍射极限以下，提升了蓝光波段边发射激光器的发射效率。并且本发明提供的用于边发射激光器的石墨烯与金颗粒的复合结构，其制备工艺简单，并且与本发明的边发射激光器制备工艺完全兼容。
其他摘要	本发明涉及蓝光边发射激光器及其制备方法，其包括依次层叠于衬底上的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括N型缓冲层、N型限制层、N型波导层、量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型缓冲层以及欧姆接触层，在所述边发射激光器的出光面设置有石墨烯层与金颗粒的复合结构。本发明将通过石墨烯与金颗粒的复合结构与激光器的激光耦合，产生等离子激元效应，通过金属成分的等离激元效应增强光吸收，然后将吸收的光传输到石墨烯部分，将光场限制在衍射极限以下，提升了蓝光波段边发射激光器的发射效率。并且本发明提供的用于边发射激光器的石墨烯与金颗粒的复合结构，其制备工艺简单，并且与本发明的边发射激光器制备工艺完全兼容。
申请日期	2018-11-16
专利号	CN109378708A
专利状态	申请中
申请号	CN201811372243.2
公开（公告）号	CN109378708A
IPC 分类号	H01S5/323
专利代理人	李斌
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92332
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华南师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	孙慧卿,李书朋,郭志友. 蓝光边发射激光器及其制备方法. CN109378708A[P]. 2019-02-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109378708A.PDF（401KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文