Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 电吸收调制集成激光器芯片及其制作方法 | |
| 其他题名 | 电吸收调制集成激光器芯片及其制作方法 |
| 万枫; 熊永华; 曾笔鉴; 余洁 | |
| 2019-01-22 | |
| 专利权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 公开日期 | 2019-01-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明实施例提供一种电吸收调制集成激光器芯片及其制作方法。所述芯片包括：依次设置的输出波导区、EAM部分、隔离区和DFB部分；所述隔离区，用于隔离所述EAM部分和DFB部分，其下层为无源波导层，上层为非掺杂InP层，以使降低工作状态下所述隔离区中的光生载流子。本发明实施例的电吸收调制集成激光器芯片的隔离区的下层为无源波导层，上层为非掺杂InP层，这种结构能够降低工作状态下隔离区中的光生载流子，甚至使隔离区中没有光生载流子，能够解决高偏压下带宽衰减过快的问题。 |
| 其他摘要 | 本发明实施例提供一种电吸收调制集成激光器芯片及其制作方法。所述芯片包括：依次设置的输出波导区、EAM部分、隔离区和DFB部分；所述隔离区，用于隔离所述EAM部分和DFB部分，其下层为无源波导层，上层为非掺杂InP层，以使降低工作状态下所述隔离区中的光生载流子。本发明实施例的电吸收调制集成激光器芯片的隔离区的下层为无源波导层，上层为非掺杂InP层，这种结构能够降低工作状态下隔离区中的光生载流子，甚至使隔离区中没有光生载流子，能够解决高偏压下带宽衰减过快的问题。 |
| 申请日期 | 2018-09-30 |
| 专利号 | CN109256675A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201811160936.5 |
| 公开（公告）号 | CN109256675A |
| IPC 分类号 | H01S5/34 | H01S5/22 | H01S5/12 |
| 专利代理人 | 王莹 | 吴欢燕 |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92325 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万枫,熊永华,曾笔鉴,等. 电吸收调制集成激光器芯片及其制作方法. CN109256675A[P]. 2019-01-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109256675A.PDF（1536KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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