Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法

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	Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法
其他题名	Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法
	舒斌; 张利锋; 高玉龙; 胡辉勇; 王斌; 王利明; 韩本光; 张鹤鸣
	2019-01-18
专利权人	西安电子科技大学
公开日期	2019-01-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法。该方法包括：在衬底的表面生长第一布拉格反射镜层；在第一布拉格反射镜层的表面生长第一n型Ge层；在第一n型Ge层的表面生长第二n型Ge层；在第二n型Ge层的表面生长GeSn层；在GeSn层的表面生长第一p型Ge层；在第一p型Ge层的表面生长第二p型Ge层；在第二p型Ge层的表面生长第二布拉格反射镜层；在得到的结构上刻蚀出第一柱体和第二柱体；在第一台阶及所述第二台阶形成电极；最终形成Ge/GeSn异质结激光器。本发明通过采用GeSn材料代替传统的单一Ge材料，提高了发光效率；通过采用P‑I‑N结构降低了阈值电流密度；另外，本发明的制备方法工艺简单。
其他摘要	本发明公开了一种Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法。该方法包括：在衬底的表面生长第一布拉格反射镜层；在第一布拉格反射镜层的表面生长第一n型Ge层；在第一n型Ge层的表面生长第二n型Ge层；在第二n型Ge层的表面生长GeSn层；在GeSn层的表面生长第一p型Ge层；在第一p型Ge层的表面生长第二p型Ge层；在第二p型Ge层的表面生长第二布拉格反射镜层；在得到的结构上刻蚀出第一柱体和第二柱体；在第一台阶及所述第二台阶形成电极；最终形成Ge/GeSn异质结激光器。本发明通过采用GeSn材料代替传统的单一Ge材料，提高了发光效率；通过采用P‑I‑N结构降低了阈值电流密度；另外，本发明的制备方法工艺简单。
申请日期	2018-09-17
专利号	CN109244829A
专利状态	申请中
申请号	CN201811082940.4
公开（公告）号	CN109244829A
IPC 分类号	H01S5/32 \| H01S5/30 \| H01S5/125
专利代理人	张捷
代理机构	西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92322
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安电子科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	舒斌,张利锋,高玉龙,等. Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法. CN109244829A[P]. 2019-01-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109244829A.PDF（969KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文