基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法

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	基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法
其他题名	基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法
	谢圣文; 牛智川; 张宇; 徐应强; 邵福会; 杨成奥; 张一; 尚金铭; 黄书山; 袁野; 苏向斌
	2019-01-15
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-01-15
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本公开提供一种基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法，该基于数字合金势垒的量子阱结构包括：阱层和势垒层，阱层为体材料结构；势垒层分别形成于阱层的上下表面上，其为数字合金结构。本公开提供的基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法中量子阱结构中势垒层采用数字合金结构，阱层采用体材料结构，此种量子阱结构结合了数字合金和体材料两者的优势：数字合金的能带区别于体材料的能带，更大的电子带阶和空穴带阶可以更有效地将电子和空穴限制在阱内，减小了载流子的泄露，提高了量子效率。
其他摘要	本公开提供一种基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法，该基于数字合金势垒的量子阱结构包括：阱层和势垒层，阱层为体材料结构；势垒层分别形成于阱层的上下表面上，其为数字合金结构。本公开提供的基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法中量子阱结构中势垒层采用数字合金结构，阱层采用体材料结构，此种量子阱结构结合了数字合金和体材料两者的优势：数字合金的能带区别于体材料的能带，更大的电子带阶和空穴带阶可以更有效地将电子和空穴限制在阱内，减小了载流子的泄露，提高了量子效率。
申请日期	2018-08-29
专利号	CN109217109A
专利状态	申请中
申请号	CN201811000562.0
公开（公告）号	CN109217109A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	李坤
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92320
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	谢圣文,牛智川,张宇,等. 基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法. CN109217109A[P]. 2019-01-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109217109A.PDF（785KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文