一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法

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	一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法
其他题名	一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法
	张恩; 李紫谦; 刘建军; 许海明
	2019-01-08
专利权人	湖北光安伦科技有限公司
公开日期	2019-01-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及光电子技术领域，提供了一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，包括S1‑S6六个步骤。本发明的一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法采用部分区域设置光栅光刻版，一方面能够改善小发散角DFB激光器的光谱特性，提高良率，另一方面能够有效提高光输出功率；且通过采用反应离子刻蚀技术和非选择性湿法腐蚀形成渐变式波导结构，一方面，结合普通的异质结掩埋工艺，无需对接无源波导，可实现远场发散角为圆形，进一步提高光输出功率，提高器件耦合效率高，从而有效降低光器件TO的封装成本；另一方面，制作工艺与常规异质结掩埋工艺相同，未增加新的工艺，适合批量生产。
其他摘要	本发明涉及光电子技术领域，提供了一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，包括S1‑S6六个步骤。本发明的一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法采用部分区域设置光栅光刻版，一方面能够改善小发散角DFB激光器的光谱特性，提高良率，另一方面能够有效提高光输出功率；且通过采用反应离子刻蚀技术和非选择性湿法腐蚀形成渐变式波导结构，一方面，结合普通的异质结掩埋工艺，无需对接无源波导，可实现远场发散角为圆形，进一步提高光输出功率，提高器件耦合效率高，从而有效降低光器件TO的封装成本；另一方面，制作工艺与常规异质结掩埋工艺相同，未增加新的工艺，适合批量生产。
申请日期	2018-10-10
专利号	CN109167253A
专利状态	申请中
申请号	CN201811178258.5
公开（公告）号	CN109167253A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/34
专利代理人	胡建文
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92314
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	湖北光安伦科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张恩,李紫谦,刘建军,等. 一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法. CN109167253A[P]. 2019-01-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109167253A.PDF（613KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文