Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法 | |
| 其他题名 | 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法 |
| 李媛媛; 梁平; 胡颖; 刘俊岐; 翟慎强; 张锦川; 卓宁; 王利军; 刘舒曼; 刘峰奇; 王占国 | |
| 2018-10-09 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2018-10-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法，该方法包括外延片和高掺衬底片晶向对准工艺，低温金属键合工艺、半绝缘衬底腐蚀工艺等，最终成功将生长在半绝缘衬底片上的外延结构层转移到另一个高掺杂的衬底片上。本发明的方法可以保证两个键合片之间的晶向一致性，防止激光器在解理过程中由晶向各异性带来的机械损伤；并且可以防止由于腐蚀液选择性不够带来的腐蚀不均匀及过腐蚀的问题，保证腐蚀的均匀性及完整性。本发明的方法符合标准半导体工艺流程，操作简便高效，适于工业化量产。 |
| 其他摘要 | 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法，该方法包括外延片和高掺衬底片晶向对准工艺，低温金属键合工艺、半绝缘衬底腐蚀工艺等，最终成功将生长在半绝缘衬底片上的外延结构层转移到另一个高掺杂的衬底片上。本发明的方法可以保证两个键合片之间的晶向一致性，防止激光器在解理过程中由晶向各异性带来的机械损伤；并且可以防止由于腐蚀液选择性不够带来的腐蚀不均匀及过腐蚀的问题，保证腐蚀的均匀性及完整性。本发明的方法符合标准半导体工艺流程，操作简便高效，适于工业化量产。 |
| 申请日期 | 2018-04-23 |
| 专利号 | CN108631149A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201810369450.6 |
| 公开（公告）号 | CN108631149A |
| IPC 分类号 | H01S5/02 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 崔亚松 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92245 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李媛媛,梁平,胡颖,等. 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法. CN108631149A[P]. 2018-10-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN108631149A.PDF（2286KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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