Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种Si3N4/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法 | |
| 其他题名 | 一种Si3N4/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法 |
| 逯心红; 王忠政; 洪志苍; 方瑞禹 | |
| 2018-09-04 | |
| 专利权人 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 公开日期 | 2018-09-04 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种Si3N4/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法。PECVD方法制备的Si3N4膜层的膜层应力为负应力，而PECVD方法制备的SiON膜层的膜层应力为正应力。本发明通过将具有负应力的Si3N4膜层和具有正应力的SiON膜层进行复合，形成较低应力的Si3N4/SiON复合膜，从而降低芯片制备过程中的应力叠加效应。另外，Si3N4膜层和SiON膜层均具有较好的抗水汽性能，因而制备的Si3N4/SiON复合膜能够同时具备抗水汽性能及低膜层应力性能，满足高速激光器芯片的性能要求。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种Si3N4/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法。PECVD方法制备的Si3N4膜层的膜层应力为负应力，而PECVD方法制备的SiON膜层的膜层应力为正应力。本发明通过将具有负应力的Si3N4膜层和具有正应力的SiON膜层进行复合，形成较低应力的Si3N4/SiON复合膜，从而降低芯片制备过程中的应力叠加效应。另外，Si3N4膜层和SiON膜层均具有较好的抗水汽性能，因而制备的Si3N4/SiON复合膜能够同时具备抗水汽性能及低膜层应力性能，满足高速激光器芯片的性能要求。 |
| 申请日期 | 2018-04-10 |
| 专利号 | CN108493760A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201810317772.6 |
| 公开（公告）号 | CN108493760A |
| IPC 分类号 | H01S5/028 |
| 专利代理人 | 逯长明 | 许伟群 |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92235 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 逯心红,王忠政,洪志苍,等. 一种Si3N4/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法. CN108493760A[P]. 2018-09-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN108493760A.PDF（1030KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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