Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种DFB激光器部分光栅制作方法 | |
| 其他题名 | 一种DFB激光器部分光栅制作方法 |
| 张恩; 许海明 | |
| 2018-02-23 | |
| 专利权人 | 武汉光安伦光电技术有限公司 |
| 公开日期 | 2018-02-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种DFB激光器部分光栅制作方法，包括如下步骤：在N型磷化铟衬底上，采用金属有机化学气相沉积方法依次生长N型InP缓冲层、多量子阱结构、P型InP层、InGaAsP光栅层及InP光栅层；在外延片表面均匀涂覆光刻胶，通过光刻版遮住部分光栅，在光刻机下进行曝光，后进行全息曝光及显影，形成光栅区与非光栅区；利用光刻胶作为保护层，采用反应离子刻蚀技术对光栅层中InP光栅层进行刻蚀；采用针对InGaAsP的选择性腐蚀液对InGaAsP光栅层进行腐蚀，室温静置腐蚀1‑2分钟。该方法利用光刻胶作为保护层，采用反应离子刻蚀技术和选择性湿法腐蚀形成深度一致的部分光栅，适合DFB激光器批量制作。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种DFB激光器部分光栅制作方法，包括如下步骤：在N型磷化铟衬底上，采用金属有机化学气相沉积方法依次生长N型InP缓冲层、多量子阱结构、P型InP层、InGaAsP光栅层及InP光栅层；在外延片表面均匀涂覆光刻胶，通过光刻版遮住部分光栅，在光刻机下进行曝光，后进行全息曝光及显影，形成光栅区与非光栅区；利用光刻胶作为保护层，采用反应离子刻蚀技术对光栅层中InP光栅层进行刻蚀；采用针对InGaAsP的选择性腐蚀液对InGaAsP光栅层进行腐蚀，室温静置腐蚀1‑2分钟。该方法利用光刻胶作为保护层，采用反应离子刻蚀技术和选择性湿法腐蚀形成深度一致的部分光栅，适合DFB激光器批量制作。 |
| 申请日期 | 2017-10-24 |
| 专利号 | CN107732655A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201710997892.0 |
| 公开（公告）号 | CN107732655A |
| IPC 分类号 | H01S5/12 | H01S5/34 | G02B5/18 |
| 专利代理人 | 程殿军 | 张瑾 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92162 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉光安伦光电技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张恩,许海明. 一种DFB激光器部分光栅制作方法. CN107732655A[P]. 2018-02-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN107732655A.PDF（454KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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