Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体光放大器及其制作方法 | |
| 其他题名 | 半导体光放大器及其制作方法 |
| 佟存住; 王延靖; 舒世立; 汪丽杰; 张新; 田思聪; 王立军 | |
| 2018-02-09 | |
| 专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 公开日期 | 2018-02-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体光放大器，包括：衬底，以及依次位于所述衬底表面上的第一限制层、第一波导层、有源区；位于所述有源区表面上的第二波导层；位于所述第二波导层表面上的第二限制层；其中，所述第二波导层的侧壁边缘以及所述第二限制层的侧壁边缘均为锯齿形状。本发明通过把第二波导层和第二限制层的侧壁均设置为锯齿形状，从而使光腔内的自发辐射产生的荧光在光腔侧壁的反射方式发生变化，进而破坏了自发辐射的谐振过程，抑制了自发辐射被放大，进而提高了半导体光放大器的饱和输出功率。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种半导体光放大器，包括：衬底，以及依次位于所述衬底表面上的第一限制层、第一波导层、有源区；位于所述有源区表面上的第二波导层；位于所述第二波导层表面上的第二限制层；其中，所述第二波导层的侧壁边缘以及所述第二限制层的侧壁边缘均为锯齿形状。本发明通过把第二波导层和第二限制层的侧壁均设置为锯齿形状，从而使光腔内的自发辐射产生的荧光在光腔侧壁的反射方式发生变化，进而破坏了自发辐射的谐振过程，抑制了自发辐射被放大，进而提高了半导体光放大器的饱和输出功率。 |
| 申请日期 | 2017-09-30 |
| 专利号 | CN107681465A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201710916820.9 |
| 公开（公告）号 | CN107681465A |
| IPC 分类号 | H01S5/10 |
| 专利代理人 | 田雪姣 | 王宝筠 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92160 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佟存住,王延靖,舒世立,等. 半导体光放大器及其制作方法. CN107681465A[P]. 2018-02-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN107681465A.PDF（452KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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