一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片

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	一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片
其他题名	一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片
	赵彤; 张明江; 徐雨航; 张建忠; 刘毅; 乔丽君; 王安帮; 王云才
	2018-02-02
专利权人	太原理工大学
公开日期	2018-02-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片，包括：衬底；下限制层，其制作在衬底上；有源层，其制作在下限制层上；上限制层，其制作在有源层上；波导层，其纵向制作在上限制层上面的中间；P+电极层，其是用隔离沟将其分为两段，制作在波导层上；N+电极层，其制作在下限制层的背面；其中，分为两段的P+电极层分别对应于DFB激光器区和随机反馈区；所述的DFB激光器区为整个芯片提供输出光和反馈光，其对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层；所述的随机反馈区对所述DFB激光器区发出的光进行随机多反馈，该随机反馈区对应的有源层部分制作有随机反馈光栅。本发明采用随机光栅反馈结构产生混沌激光，彻底消除了单腔光反馈混沌激光器的时延特性。
其他摘要	一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片，包括：衬底；下限制层，其制作在衬底上；有源层，其制作在下限制层上；上限制层，其制作在有源层上；波导层，其纵向制作在上限制层上面的中间；P+电极层，其是用隔离沟将其分为两段，制作在波导层上；N+电极层，其制作在下限制层的背面；其中，分为两段的P+电极层分别对应于DFB激光器区和随机反馈区；所述的DFB激光器区为整个芯片提供输出光和反馈光，其对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层；所述的随机反馈区对所述DFB激光器区发出的光进行随机多反馈，该随机反馈区对应的有源层部分制作有随机反馈光栅。本发明采用随机光栅反馈结构产生混沌激光，彻底消除了单腔光反馈混沌激光器的时延特性。
申请日期	2017-11-16
专利号	CN107658693A
专利状态	授权
申请号	CN201711137923.1
公开（公告）号	CN107658693A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/125 \| H01S5/068
专利代理人	朱源 \| 曹一杰
代理机构	太原科卫专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92159
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	太原理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	赵彤,张明江,徐雨航,等. 一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片. CN107658693A[P]. 2018-02-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107658693A.PDF（374KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文