一种硅基集成可调谐激光器结构及其控制方法

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	一种硅基集成可调谐激光器结构及其控制方法
其他题名	一种硅基集成可调谐激光器结构及其控制方法
	曹薇; 汤学胜; 胡毅; 马卫东
	2018-01-19
专利权人	武汉光迅科技股份有限公司
公开日期	2018-01-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及激光器技术领域，提供了一种硅基集成可调谐激光器结构及其控制方法。其中结构包括在硅衬底上制作有硅基微环谐振器、背光探测器和硅基耦合输出波导，谐振器通过高分子聚合物键合到硅基微环谐振器的波导正上方；半导体制冷器设置在硅衬底底部对应与硅基微环谐振器所在区域；硅基微环谐振器的波导下方与硅基耦合输出波导的中间区域建立光信号耦合结构；所述硅基耦合输出波导的一端为出光面，所述硅基耦合输出波导的另一端与所述背光探测器耦合。本发明对有源区在硅光芯片上方，合理利用了空间的深度，空间利用效率更高，做出来的光器件体积更小；集成度高，硅光芯片工艺和CMOS工艺兼容；具有可加工性和可量产性。
其他摘要	本发明涉及激光器技术领域，提供了一种硅基集成可调谐激光器结构及其控制方法。其中结构包括在硅衬底上制作有硅基微环谐振器、背光探测器和硅基耦合输出波导，谐振器通过高分子聚合物键合到硅基微环谐振器的波导正上方；半导体制冷器设置在硅衬底底部对应与硅基微环谐振器所在区域；硅基微环谐振器的波导下方与硅基耦合输出波导的中间区域建立光信号耦合结构；所述硅基耦合输出波导的一端为出光面，所述硅基耦合输出波导的另一端与所述背光探测器耦合。本发明对有源区在硅光芯片上方，合理利用了空间的深度，空间利用效率更高，做出来的光器件体积更小；集成度高，硅光芯片工艺和CMOS工艺兼容；具有可加工性和可量产性。
申请日期	2017-09-30
专利号	CN107611774A
专利状态	授权
申请号	CN201710922928.9
公开（公告）号	CN107611774A
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/187 \| H01S5/30
专利代理人	何婷
代理机构	深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92146
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	曹薇,汤学胜,胡毅,等. 一种硅基集成可调谐激光器结构及其控制方法. CN107611774A[P]. 2018-01-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107611774A.PDF（237KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文