一种半导体量子点子能级发光器件

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	一种半导体量子点子能级发光器件
其他题名	一种半导体量子点子能级发光器件
	刘惠春; 傅爱兵
	2013-03-06
专利权人	上海交通大学无锡研究院
公开日期	2013-03-06
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公布了一种半导体量子点子能级发光器件，其结构为n型掺杂的GaAs衬底层，在所述的GaAs衬底层上通过分子束外延技术或者金属有机化学气相沉积依次逐层生长的：Al组分0-0.2变化的AlGaAs层，用于为量子点层注入电子，同时可以对能级进行调制；AlGaAs缓冲层，其中Al组分固定为0.2；多层的AlAs或GaAs，InAs周期结构；在多层周期结构上沉积一层未掺杂的GaAs缓冲层；n型掺杂的GaAs上电级层；其中最上的GaAs上电极层和最下面的n型掺杂GaAs衬底层。本发明的量子点发光器件能够在室温或准室温的条件下工作，工作温度接近300K，无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。本发明的量子点发光器件还能够在远红外和太赫兹波段产生激光，且发光效率高。
其他摘要	本发明公布了一种半导体量子点子能级发光器件，其结构为n型掺杂的GaAs衬底层，在所述的GaAs衬底层上通过分子束外延技术或者金属有机化学气相沉积依次逐层生长的：Al组分0-0.2变化的AlGaAs层，用于为量子点层注入电子，同时可以对能级进行调制；AlGaAs缓冲层，其中Al组分固定为0.2；多层的AlAs或GaAs，InAs周期结构；在多层周期结构上沉积一层未掺杂的GaAs缓冲层；n型掺杂的GaAs上电级层；其中最上的GaAs上电极层和最下面的n型掺杂GaAs衬底层。本发明的量子点发光器件能够在室温或准室温的条件下工作，工作温度接近300K，无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。本发明的量子点发光器件还能够在远红外和太赫兹波段产生激光，且发光效率高。
申请日期	2012-10-18
专利号	CN102957093A
专利状态	失效
申请号	CN201210397783.2
公开（公告）号	CN102957093A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	楼高潮
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92124
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	上海交通大学无锡研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	刘惠春,傅爱兵. 一种半导体量子点子能级发光器件. CN102957093A[P]. 2013-03-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102957093A.PDF（311KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文