Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种在硅片上制备高效硅基发光薄膜的方法 | |
| 其他题名 | 一种在硅片上制备高效硅基发光薄膜的方法 |
| 季振国 | |
| 2003-09-17 | |
| 专利权人 | 浙江大学 |
| 公开日期 | 2003-09-17 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开的在硅衬底上制备硅基发光薄膜的方法，包括在经过清洗的硅片衬底上热氧化生长一层氧化硅薄膜，再在其上沉积一层掺有一种或多种金属元素如锰、钛、铈、铽、铱、钇、铅、镍、钴、钙、铒、铕、铪、锶、镧、镝等的锌或含锌化合物薄膜，最后通过高温热处理使锌或含锌化合物薄膜与氧化硅膜发生反应形成晶体结构的发光硅酸锌薄膜，其发光波长与掺杂元素的种类有关。本发明提出了制备高效、稳定的硅基发光薄膜的方法。它简单、易行，而且与硅集成电路器件工艺兼容。 |
| 其他摘要 | 本发明公开的在硅衬底上制备硅基发光薄膜的方法，包括在经过清洗的硅片衬底上热氧化生长一层氧化硅薄膜，再在其上沉积一层掺有一种或多种金属元素如锰、钛、铈、铽、铱、钇、铅、镍、钴、钙、铒、铕、铪、锶、镧、镝等的锌或含锌化合物薄膜，最后通过高温热处理使锌或含锌化合物薄膜与氧化硅膜发生反应形成晶体结构的发光硅酸锌薄膜，其发光波长与掺杂元素的种类有关。本发明提出了制备高效、稳定的硅基发光薄膜的方法。它简单、易行，而且与硅集成电路器件工艺兼容。 |
| 申请日期 | 2003-02-28 |
| 专利号 | CN1442883A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03115635.5 |
| 公开（公告）号 | CN1442883A |
| IPC 分类号 | C09K11/08 | H01L21/00 | H01L31/18 | H01S5/00 | H05B33/00 |
| 专利代理人 | 韩介梅 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92089 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 季振国. 一种在硅片上制备高效硅基发光薄膜的方法. CN1442883A[P]. 2003-09-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1442883A.PDF（174KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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