用于制造半导体本体的方法

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	用于制造半导体本体的方法
其他题名	用于制造半导体本体的方法
	科比尼安·佩尔茨尔迈尔; 黑里贝特·齐尔; 弗朗茨·埃伯哈德; 托马斯·法伊特; 马蒂亚斯·肯普夫; 延斯·丹尼马克
	2013-12-25
专利权人	欧司朗光电半导体有限公司
公开日期	2013-12-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提出一种用于制造半导体本体（3）的方法，其具有下述步骤：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有至少两个芯片区域（1）和设置在芯片区域（1）之间的至少一个分离区域（2），其中，半导体晶圆具有层序列，所述层序列的最外层至少在分离区域（2）内具有透射层（8），所述透射层对于电磁辐射而言是可穿透的；实施下述措施中的至少一个措施：移除在分离区域（2）内的透射层（8），在分离区域内施加吸收层（16），提高在分离区域内的透射层的吸收系数；以及借助于激光沿着分离区域（2）分离芯片区域（1）。
其他摘要	本发明提出一种用于制造半导体本体（3）的方法，其具有下述步骤：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有至少两个芯片区域（1）和设置在芯片区域（1）之间的至少一个分离区域（2），其中，半导体晶圆具有层序列，所述层序列的最外层至少在分离区域（2）内具有透射层（8），所述透射层对于电磁辐射而言是可穿透的；实施下述措施中的至少一个措施：移除在分离区域（2）内的透射层（8），在分离区域内施加吸收层（16），提高在分离区域内的透射层的吸收系数；以及借助于激光沿着分离区域（2）分离芯片区域（1）。
申请日期	2012-04-04
专利号	CN103477453A
专利状态	授权
申请号	CN201280018440.9
公开（公告）号	CN103477453A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/02 \| H01L21/78
专利代理人	张春水 \| 田军锋
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92025
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	科比尼安·佩尔茨尔迈尔,黑里贝特·齐尔,弗朗茨·埃伯哈德,等. 用于制造半导体本体的方法. CN103477453A[P]. 2013-12-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103477453A.PDF（813KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文