Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种DFB激光器光栅及芯片的制作方法 | |
其他题名 | 一种DFB激光器光栅及芯片的制作方法 |
王任凡; 刘应军; 阳红涛; 胡忞远; 熊永华 | |
2013-04-17 | |
专利权人 | 武汉电信器件有限公司 |
公开日期 | 2013-04-17 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明公开了一种DFB激光器光栅及芯片的制作方法。该DFB激光器光栅制作时光栅层结构为两层P-InP层中间夹一层P-InGaAsP层,先在顶端P-InP层外涂覆光栅用光刻胶,烘干后进行全息曝光,显影,制作成均匀光栅;然后使用HCl、H3PO4和H2O组成的腐蚀液腐蚀掉一层P-InP层;再用H2SO4、H2O2和H2O组成的腐蚀液腐蚀掉P-InGaAsP层;最后除去光刻胶,得到DFB激光器用光栅。通过这种三明治光栅结构设计和InGaAsP/InP两种材料的选择性腐蚀,可获得深度一致的均匀光栅。本发明方法制作成本低,光栅一致性好,DFB激光器成品率高,利于大规模生产的需要。 |
其他摘要 | 本发明公开了一种DFB激光器光栅及芯片的制作方法。该DFB激光器光栅制作时光栅层结构为两层P-InP层中间夹一层P-InGaAsP层,先在顶端P-InP层外涂覆光栅用光刻胶,烘干后进行全息曝光,显影,制作成均匀光栅;然后使用HCl、H3PO4和H2O组成的腐蚀液腐蚀掉一层P-InP层;再用H2SO4、H2O2和H2O组成的腐蚀液腐蚀掉P-InGaAsP层;最后除去光刻胶,得到DFB激光器用光栅。通过这种三明治光栅结构设计和InGaAsP/InP两种材料的选择性腐蚀,可获得深度一致的均匀光栅。本发明方法制作成本低,光栅一致性好,DFB激光器成品率高,利于大规模生产的需要。 |
申请日期 | 2013-01-10 |
专利号 | CN103050888A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN201310008696.8 |
公开(公告)号 | CN103050888A |
IPC 分类号 | H01S5/12 |
专利代理人 | 黄挺 |
代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91986 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王任凡,刘应军,阳红涛,等. 一种DFB激光器光栅及芯片的制作方法. CN103050888A[P]. 2013-04-17. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN103050888A.PDF(358KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[王任凡]的文章 |
[刘应军]的文章 |
[阳红涛]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[王任凡]的文章 |
[刘应军]的文章 |
[阳红涛]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[王任凡]的文章 |
[刘应军]的文章 |
[阳红涛]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论