Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种高功率半导体激光器 | |
| 其他题名 | 一种高功率半导体激光器 |
刘兴胜 ; 卢栋; 王警卫; 杨艳
| |
| 2016-08-31 | |
| 专利权人 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 公开日期 | 2016-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型提出一种新型高功率半导体激光器，可以有效解决现有结构方案中激光器合格率低、工艺复杂、键合质量差以及可靠性不高等问题，促进传导冷却型高功率半导体激光器向更高功率发展。该高功率半导体激光器包括散热器和由若干个激光器芯片及其衬底构成的芯片组模块，衬底的底部通过焊料键合到散热器上，所述衬底的主体为绝缘导热块；对应于衬底上激光器芯片的键合区域，所述绝缘导热块的正面和背面均设置有导电导热层，正面的导电导热层与背面的导电导热层之间经由绝缘导热块的表面和/或内部贯通设置的导电材料形成电连接。 |
| 其他摘要 | 本实用新型提出一种新型高功率半导体激光器，可以有效解决现有结构方案中激光器合格率低、工艺复杂、键合质量差以及可靠性不高等问题，促进传导冷却型高功率半导体激光器向更高功率发展。该高功率半导体激光器包括散热器和由若干个激光器芯片及其衬底构成的芯片组模块，衬底的底部通过焊料键合到散热器上，所述衬底的主体为绝缘导热块；对应于衬底上激光器芯片的键合区域，所述绝缘导热块的正面和背面均设置有导电导热层，正面的导电导热层与背面的导电导热层之间经由绝缘导热块的表面和/或内部贯通设置的导电材料形成电连接。 |
| 申请日期 | 2016-03-22 |
| 专利号 | CN205543689U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201620222944 |
| 公开（公告）号 | CN205543689U |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/024 | H01S5/02 |
| 专利代理人 | 胡乐 |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91833 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘兴胜,卢栋,王警卫,等. 一种高功率半导体激光器. CN205543689U[P]. 2016-08-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN205543689U.PDF（163KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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