Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种抗辐射半导体激光器 | |
| 其他题名 | 一种抗辐射半导体激光器 |
| 曲轶; 杨旭; 李辉; 赵强; 张斯钰; 赵博; 高欣; 薄报学; 刘国军 | |
| 2010-09-22 | |
| 专利权人 | 长春理工大学 |
| 公开日期 | 2010-09-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 半导体激光器作为空间激光通信系统的核心器件，不仅要具有高的电光转换效率，还应有良好的抗辐射性能。因为空间激光通信系统的半导体激光器在空间运行时不可避免地会受到空间环境中质子、中子、γ射线、电子等带电粒子的辐射，导致其性能退化，影响空间激光通信系统的可靠运行和使用寿命。本发明采取合理设置外延层的掺杂浓度与厚度，半导体激光器端面镀膜，复合绝缘介质层，对衬底材料进行辐照老化，阈值电流补偿，增加偏置电流加速退火，增加温度加速退火，在管壳上涂敷抗辐射涂层，pn结隔离技术，真空封装等方法，提高半导体激光器的抗辐照能力。 |
| 其他摘要 | 半导体激光器作为空间激光通信系统的核心器件，不仅要具有高的电光转换效率，还应有良好的抗辐射性能。因为空间激光通信系统的半导体激光器在空间运行时不可避免地会受到空间环境中质子、中子、γ射线、电子等带电粒子的辐射，导致其性能退化，影响空间激光通信系统的可靠运行和使用寿命。本发明采取合理设置外延层的掺杂浓度与厚度，半导体激光器端面镀膜，复合绝缘介质层，对衬底材料进行辐照老化，阈值电流补偿，增加偏置电流加速退火，增加温度加速退火，在管壳上涂敷抗辐射涂层，pn结隔离技术，真空封装等方法，提高半导体激光器的抗辐照能力。 |
| 申请日期 | 2010-03-16 |
| 专利号 | CN101841125A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201010125015.2 |
| 公开（公告）号 | CN101841125A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91817 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曲轶,杨旭,李辉,等. 一种抗辐射半导体激光器. CN101841125A[P]. 2010-09-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101841125A.PDF（269KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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