低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法

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	低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法
其他题名	低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法
	张帆; 韩效亚; 杜石磊; 林晓珊; 叶培飞; 占荣; 耿松涛; 张双翔
	2012-11-14
专利权人	扬州乾照光电有限公司
公开日期	2012-11-14
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法，涉及半导体激光器领域，本发明通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。
其他摘要	低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法，涉及半导体激光器领域，本发明通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。
申请日期	2012-07-27
专利号	CN102780159A
专利状态	授权
申请号	CN201210263198.3
公开（公告）号	CN102780159A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/14
专利代理人	江平
代理机构	扬州市锦江专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91797
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张帆,韩效亚,杜石磊,等. 低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法. CN102780159A[P]. 2012-11-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102780159A.PDF（1015KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文