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半导体发光装置及其制造方法
其他题名半导体发光装置及其制造方法
久义浩; 山口勉; 西田武弘; 平松健司
2009-01-21
专利权人三菱电机株式会社
公开日期2009-01-21
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供一种能够防止在向封装件安装的前后各半导体激光器元件的偏振光旋转的半导体发光装置及其制造方法。在同一衬底(11)上形成多个半导体激光器元件(10a)、(10b)。此外,在多个半导体激光器元件(10a)、(10b)的主面形成Au镀层(16)。并且,使用涂敷在Au镀层(16)上的焊料,将多个半导体激光器元件(10a)、(10b)安装在封装件(22)上。将夹持各半导体激光器元件(10a)、(10b)的发光区域而对置的区域分别作为第一区域和第二区域。并且,在各半导体激光器元件(10a)、(10b)的第一区域和第二区域,使Au镀层(16)的厚度的平均值不一致。
其他摘要本发明提供一种能够防止在向封装件安装的前后各半导体激光器元件的偏振光旋转的半导体发光装置及其制造方法。在同一衬底(11)上形成多个半导体激光器元件(10a)、(10b)。此外,在多个半导体激光器元件(10a)、(10b)的主面形成Au镀层(16)。并且,使用涂敷在Au镀层(16)上的焊料,将多个半导体激光器元件(10a)、(10b)安装在封装件(22)上。将夹持各半导体激光器元件(10a)、(10b)的发光区域而对置的区域分别作为第一区域和第二区域。并且,在各半导体激光器元件(10a)、(10b)的第一区域和第二区域,使Au镀层(16)的厚度的平均值不一致。
申请日期2008-06-13
专利号CN101350500A
专利状态授权
申请号CN200810125560.4
公开(公告)号CN101350500A
IPC 分类号H01S5/40 | H01S5/028 | H01S5/022 | H01L27/15 | H01L21/28 | H01S5/02
专利代理人闫小龙 | 刘宗杰
代理机构中国专利代理(香港)有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91768
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
久义浩,山口勉,西田武弘,等. 半导体发光装置及其制造方法. CN101350500A[P]. 2009-01-21.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN101350500A.PDF(429KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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