一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器

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	一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器
其他题名	一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器
	崔碧峰; 张松; 计伟; 陈京湘; 王晓玲; 苏道军
	2013-11-20
专利权人	北京工业大学
公开日期	2013-11-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成第一脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通；腐蚀去除上限制层未贯通部分的四角，腐蚀后上限制层的四角不贯通；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及第一脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和第一脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，通过在非注入窗口区刻蚀脊型结构，形成侧向弱折射率波导结构，有效地抑制了光束在水平方向上的发散。
其他摘要	本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成第一脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通；腐蚀去除上限制层未贯通部分的四角，腐蚀后上限制层的四角不贯通；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及第一脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和第一脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，通过在非注入窗口区刻蚀脊型结构，形成侧向弱折射率波导结构，有效地抑制了光束在水平方向上的发散。
申请日期	2013-07-18
专利号	CN103401140A
专利状态	授权
申请号	CN201310303707.5
公开（公告）号	CN103401140A
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/22
专利代理人	吴荫芳
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91741
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	崔碧峰,张松,计伟,等. 一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器. CN103401140A[P]. 2013-11-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103401140A.PDF（521KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文