Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器 | |
其他题名 | 一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器 |
崔碧峰; 张松; 计伟; 陈京湘; 王晓玲; 苏道军 | |
2013-11-20 | |
专利权人 | 北京工业大学 |
公开日期 | 2013-11-20 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层,腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边,在欧姆接触层的中心位置形成第一脊型台,欧姆接触层上下贯通,上限制层上下不贯通;腐蚀去除上限制层未贯通部分的四角,腐蚀后上限制层的四角不贯通;电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及第一脊型台的侧面,正面电极覆盖在电绝缘介质层和第一脊型台的上表面,背面电极生长在衬底上。本发明形成腔面非注入区,有效地提高了半导体激光器的COD阈值,通过在非注入窗口区刻蚀脊型结构,形成侧向弱折射率波导结构,有效地抑制了光束在水平方向上的发散。 |
其他摘要 | 本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层,腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边,在欧姆接触层的中心位置形成第一脊型台,欧姆接触层上下贯通,上限制层上下不贯通;腐蚀去除上限制层未贯通部分的四角,腐蚀后上限制层的四角不贯通;电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及第一脊型台的侧面,正面电极覆盖在电绝缘介质层和第一脊型台的上表面,背面电极生长在衬底上。本发明形成腔面非注入区,有效地提高了半导体激光器的COD阈值,通过在非注入窗口区刻蚀脊型结构,形成侧向弱折射率波导结构,有效地抑制了光束在水平方向上的发散。 |
申请日期 | 2013-07-18 |
专利号 | CN103401140A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201310303707.5 |
公开(公告)号 | CN103401140A |
IPC 分类号 | H01S5/10 | H01S5/22 |
专利代理人 | 吴荫芳 |
代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91741 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 北京工业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔碧峰,张松,计伟,等. 一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器. CN103401140A[P]. 2013-11-20. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN103401140A.PDF(521KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[崔碧峰]的文章 |
[张松]的文章 |
[计伟]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[崔碧峰]的文章 |
[张松]的文章 |
[计伟]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[崔碧峰]的文章 |
[张松]的文章 |
[计伟]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论