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半导体激光器
其他题名半导体激光器
山口勉; 西田武弘; 大仓裕二; 高濑祯
2009-11-25
专利权人三菱电机株式会社
公开日期2009-11-25
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及半导体激光器。在脊宽度朝向射出端面扩大的扩张脊型双沟道结构的半导体激光器中,随着光输出的变化,水平方向的远场图形的强度中心以及形状发生变动,不能得到稳定的成品率。本发明提供一种半导体激光器,其通过使脊宽度最窄的地方的两侧的沟道部的宽度比光射出端面部的沟道宽度变宽,能够抑制随着光输出变化的水平方向的远场图形的强度中心的变动,射出远场图形的形状稳定的激光光束。
其他摘要本发明涉及半导体激光器。在脊宽度朝向射出端面扩大的扩张脊型双沟道结构的半导体激光器中,随着光输出的变化,水平方向的远场图形的强度中心以及形状发生变动,不能得到稳定的成品率。本发明提供一种半导体激光器,其通过使脊宽度最窄的地方的两侧的沟道部的宽度比光射出端面部的沟道宽度变宽,能够抑制随着光输出变化的水平方向的远场图形的强度中心的变动,射出远场图形的形状稳定的激光光束。
申请日期2009-01-24
专利号CN101588020A
专利状态授权
申请号CN200910009970.7
公开(公告)号CN101588020A
IPC 分类号H01S5/22 | H01S5/24
专利代理人闫小龙 | 王忠忠
代理机构中国专利代理(香港)有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91582
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
山口勉,西田武弘,大仓裕二,等. 半导体激光器. CN101588020A[P]. 2009-11-25.
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CN101588020A.PDF(682KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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