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一种宽条形半导体激光器腔模选择方法
其他题名一种宽条形半导体激光器腔模选择方法
高欣; 薄报学; 乔忠良; 张晶; 李辉; 李特; 曲轶
2015-06-10
专利权人长春理工大学
公开日期2015-06-10
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种宽条形半导体激光器腔模选择方法,属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量,使宽条形大功率半导体激光器的应用受到限制。本发明采用体光栅外腔方法,通过光栅平面法线倾斜的高反射体光栅的窄角度光束反馈,对快轴准直的宽条形大功率半导体激光器芯片的内腔横模进行选择,使呈现双峰远场分布的环行模式受到有效的外腔反馈,由于其中一个远场峰受到体光栅的高反射输出限制,实现了单峰远场激射,从而改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量。该方法可应用于各类宽条形大功率半导体激光器的制造。
其他摘要一种宽条形半导体激光器腔模选择方法,属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量,使宽条形大功率半导体激光器的应用受到限制。本发明采用体光栅外腔方法,通过光栅平面法线倾斜的高反射体光栅的窄角度光束反馈,对快轴准直的宽条形大功率半导体激光器芯片的内腔横模进行选择,使呈现双峰远场分布的环行模式受到有效的外腔反馈,由于其中一个远场峰受到体光栅的高反射输出限制,实现了单峰远场激射,从而改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量。该方法可应用于各类宽条形大功率半导体激光器的制造。
申请日期2014-07-02
专利号CN104701733A
专利状态失效
申请号CN201410314273.3
公开(公告)号CN104701733A
IPC 分类号H01S5/065
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91579
专题半导体激光器专利数据库
作者单位长春理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
高欣,薄报学,乔忠良,等. 一种宽条形半导体激光器腔模选择方法. CN104701733A[P]. 2015-06-10.
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