偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法

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	偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法
其他题名	偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法
	关宝璐; 郭霞; 史国柱; 李硕; 王强; 周弘毅; 陈树华; 苏治平
	2012-07-11
专利权人	北京工业大学
公开日期	2012-07-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法，采用半导体微纳加工方法制备有效折射率各向异性的亚波长光栅，将其刻蚀在可调谐垂直腔面发射激光器的谐振腔内，内腔亚波长光栅可以等效为一定厚度的负单轴晶体，利用“形式双折射”效应，TE、TM偏振模式在谐振腔分别满足不同的F-P标具方程，两偏振模式的谐振波长分离，设计TE偏振模式波长在中心波长处，该模式比TM偏振模式需更低的阈值增益，优先激射，TM偏振模式将被抑制，从而使偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器在波长连续调谐过程中具有波长偏振稳定输出的功能。
其他摘要	本发明提供了一种偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法，采用半导体微纳加工方法制备有效折射率各向异性的亚波长光栅，将其刻蚀在可调谐垂直腔面发射激光器的谐振腔内，内腔亚波长光栅可以等效为一定厚度的负单轴晶体，利用“形式双折射”效应，TE、TM偏振模式在谐振腔分别满足不同的F-P标具方程，两偏振模式的谐振波长分离，设计TE偏振模式波长在中心波长处，该模式比TM偏振模式需更低的阈值增益，优先激射，TM偏振模式将被抑制，从而使偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器在波长连续调谐过程中具有波长偏振稳定输出的功能。
申请日期	2012-01-20
专利号	CN102570302A
专利状态	授权
申请号	CN201210019209.3
公开（公告）号	CN102570302A
IPC 分类号	H01S5/20 \| H01S5/183
专利代理人	翟国明
代理机构	北京汇信合知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91551
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	关宝璐,郭霞,史国柱,等. 偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN102570302A[P]. 2012-07-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102570302A.PDF（870KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文