Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
边缘发射半导体激光器及其生产方法 | |
其他题名 | 边缘发射半导体激光器及其生产方法 |
A.莱尔; H.克尼希; A.S.阿夫拉梅斯库 | |
2017-12-01 | |
专利权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
公开日期 | 2017-12-01 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 边缘发射半导体激光器包括半导体结构,所述半导体结构具有层序列,所述层序列包括沿生长方向重叠的层。半导体结构在横向上由第一刻面(400)和第二刻面(500)划定。所述半导体结构具有中部区段(300)和邻近第一刻面的第一边缘区段(410)。所述层序列在第一边缘区段中关于中间区段在生长方向(201)上偏置。半导体结构包含衬底(100)、下部包覆层(210)、下部波导层(220)、有源层(230)、上部波导层(240)和顶部包覆层(250)。在刻面的地带中,存在电气绝缘的中间层(260),所述中间层(260)防止在刻面(400)的边缘区段(410)中通过半导体结构的电流。 |
其他摘要 | 边缘发射半导体激光器包括半导体结构,所述半导体结构具有层序列,所述层序列包括沿生长方向重叠的层。半导体结构在横向上由第一刻面(400)和第二刻面(500)划定。所述半导体结构具有中部区段(300)和邻近第一刻面的第一边缘区段(410)。所述层序列在第一边缘区段中关于中间区段在生长方向(201)上偏置。半导体结构包含衬底(100)、下部包覆层(210)、下部波导层(220)、有源层(230)、上部波导层(240)和顶部包覆层(250)。在刻面的地带中,存在电气绝缘的中间层(260),所述中间层(260)防止在刻面(400)的边缘区段(410)中通过半导体结构的电流。 |
申请日期 | 2016-03-18 |
专利号 | CN107431333A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201680016839.1 |
公开(公告)号 | CN107431333A |
IPC 分类号 | H01S5/16 | H01S5/32 | H01S5/02 |
专利代理人 | 周学斌 | 刘春元 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91548 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | A.莱尔,H.克尼希,A.S.阿夫拉梅斯库. 边缘发射半导体激光器及其生产方法. CN107431333A[P]. 2017-12-01. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN107431333A.PDF(1496KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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